Other Parts Discussed in Thread: BQSTUDIO, BQ76952
TI团队,你们好
我使用BQ76952EVM板连接了5节18650电池,连接电子负载后,打开FET_ENABLE,可以正常进行放电;但是连接了21V的充电器后,打开FET_ENABLE,却没有充电电流,无法给电池充电,请问到底是什么原因?
ps:充电器正常,电池正常,在其他的板子上可以正常充放电。
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TI团队,你们好
我使用BQ76952EVM板连接了5节18650电池,连接电子负载后,打开FET_ENABLE,可以正常进行放电;但是连接了21V的充电器后,打开FET_ENABLE,却没有充电电流,无法给电池充电,请问到底是什么原因?
ps:充电器正常,电池正常,在其他的板子上可以正常充放电。
您好,
CHGTEST和DSGTEST模式下,充放电开关打开:
1.接电子负载放电时,cell16 -> pack+的压降为5.17V,pack+ -> cell16端子的电阻为0欧姆,从cell16到pack+测不出来电阻,可以正常放电,放电电流0.5A。
2.关闭电子负载,停止放电,测量pack+ -> cell16端子的电阻为0.64千欧,从cell16到pack+测不出来电阻。
3.连接充电器正负极后,cell16 -> pack+的压降为4.25V,测量不出pack+ -> cell16端子的电阻,cell16-> pack+的电阻为0欧;充不了电,电流为0。
放电时截图:
接充电器时截图如下:
然后关闭测试模式,打开FET_EN,再点击ALL_FETS_ON, 出现DSG_FET打开,但是CHG_FET未打开。接电子负载后,CHG_FET又显示打开了,此时CHG_FET的打开关闭与是否进入SLEEP有关。此时可以正常放电。
然后接充电器,无电流。CHG_FET时而打开,时而关闭,可能是由于电流测量不准确,即使pack断开时,测量的电流也会在-7mA到-249mA跳变,大部分时间为0。
接充电器时截图1如下:
接充电器时截图2如下:
注意:在以上过程中,无任何保护产生。
您好,您的问题E2E论坛已经回复,建议直接在帖子中回复,确认是操作问题还是板子问题。
您好,由于论坛提示我没有公司的邮箱,在论坛上无法回复,所以只能在这儿回复了。
让我澄清一些事情。首先,关于电阻的测量是我的错,我不应该在带有电池情况下使用万用表去测量BAT+到PACK+的电阻,很抱歉我的错误对您造成的困扰。因此以下的讨论我们请忽略之前关于电阻测量的描述。
关于问题1:由于涉及到电阻描述,请忽略。
关于问题2:充电器是如何连接的?这种下降是由于浪涌电流引起的,还是充电时的持续下降?此时0.5A负载是否断开?
0的电流是多少?由BQ测量的还是外部测量的?如果电流确实为0A,且未连接负载,那么能量损失将流向哪里?电池上还有别的东西吗?
充电器是接到EVM板的PACK正负端的;是刚连接上充电器后,打开CHGTEST和DSGTEST(FET_ENABLE是关闭的),BQSTUDIO界面上的电流显示一直为0;电池上无其他东西。如下图为线路连接。(cell1到cell16上的分流器跳线均已移除,I2C跳线正常)
电池盒的电路如下:(电池盒与EVM板只连接了CELL0、CELL1、CELL2、CELL3、CELL4、CELL5)
关于问题3:您能澄清电流0mA何时为0mA,何时为0mA吗?你有充电器插入时发生的事情的范围捕获吗?
这个电流为0mA表示插上充电器后,打开充放电开关,BQSTUDIO上的电流显示一直是0(数据是按照默认周期一直更新的)。
关于后面的问题:在未进行充放电时,测量的电流跳动可能是由于板子上测量的原因,也可能是由于其他的干扰,这个问暂时先不考虑。我这边没有其他的EVM板。
此外,我怀疑是否是FET的问题,我测量了不同状态时FET两端的电压:
1.接电子负载时,CHG=1,DSG=1时,UFE=4.56V, UFD=-0.256V;
CHG=1,DSG=0时,UFE=19.27V, UFD=18.50V;
2.接充电器时
CHG=0,DSG=1时,UBA=1.12V, UBC=1.48V;
CHG=1,DSG=1时,UBA=1.11V, UBC=1.46V;
这正常吗?我怀疑是不是CHGFET有问题?还是说我电路接的有问题?可是同一个回路,放电是正常的,但是充电却不正常(充电器与电子负载不是同时接在PACK正负两端的)。
期望能得到解决。
您好,又测量了一下
BAT电池包两端的电压为19.77V
接电子负载放电时:CHG=1,DSG=1,
此时UD = 18.38V, UE = 13.63V UF = 18.16V,
UC = 18.60V, UA = 18.74V UB = 18.11V
接CHARGER时::CHG=1,DSG=1,
此时UD = 20.81V, UE = 21.21V UF = 20.87V,
UC = 1918..43V, UA = 19.75V UB = 20.87V。
在放电时,UD>UE,因此放电的MOS管可以正常导通;
在充电时,UC<UA,FET并没有实质上导通,我查看了一下寄存器设置,Chg Pump Control设置为01,电荷泵是启用的,但是CHG的电压比电池两端的电压低,导致CHGFET启用失败,这个CHG门极电压达不到到底是什么原因?还有就是DSGFET在正常导通放电时有4.53V的压降是什么原因?
您好,
看到论坛上的回复了。
基本的设置如下:
FET Options = 0x0d, Chg Pump Control = 0x01, 预充预防是默认禁用的
其余的设置如下图
依据电路图测试了电荷泵两端的电压
在设置CHGTEST=1,DSGTEST=1时,测量TP3的对地电压为19.38V,TP2的电压为19.38V,即电荷泵C3两端没有压差,电荷泵未作用。
在设置FET_ENABLE时,点击ALLFETON,并点击SLEEP DISABLE, 此时Registers页面显示DSG_FET和CHG_FET打开,但是测量TP3的对地电压仍然为19.38V,TP2的电压为19.38V。所以这是器件本身有问题还是说没有设置对?但是电荷泵已经设置为启用了,此时TP3的电压应该高出电池组电压11V,但是实际情况时电荷泵并没有充电,两端的电压一致。
期待您的答复。
您好,TP3 should be ~11-V higher than TP2 if the charge-pump is enabled, if this is not the case, either the charge-pump is being drained somehow (too high of a load on the DSG/CHG pins), or the IC may be damaged.
Can you tried replacing the IC and see if the issue is fixed?
您可以在TI STORE上购买芯片。您的评估板是在哪里购买的。
您好,我这边今天EVM板上重新换了颗BQ76952,参考BQ76952EVM板的说明,使用32V电源模拟10颗电芯的总电压(其余六颗电芯是短接的);
然后打开BQSTUDIO,打开FET_ENABLE,并打开SLEEP_DISABLE,PACK端未连接任何线路,其余配置均为默认配置。测试TP3的对地电压为42V,但是很快就闻到一股焦糊味,而且过程中TP3的电压在很快下降;立马断电后,可以测量到电荷泵C3两端的电阻为12.1欧姆。焦糊味是BQ76952的位置发出的,很显然,这颗BQ76952芯片也烧坏了,这到底是什么原因?期待能解答。
PS:在未更换BQ76952芯片之前做充电实验时,也遇到过出现焦糊味的情况,当时并未确定焦糊味出现的位置,在更换BQ芯片之前测量了一下电荷泵C3的电阻,是30多欧姆,以为是电荷泵被击穿了,更换了电荷泵测量结果还是一样,就更换了BQ76952芯片。
您好,补充一下,在BQ76952芯片烧坏后,电压是可以正常显示的,在关闭CHGFET和DSGFET寄存器的情况下,测量Q8的CHG引脚电压为30V左右,测量Q9的DSG引脚为0V,这又是什么原因?是否是BQ芯片烧坏与CHG有关?
您好,
更换了BQ76952芯片后,电路连接方法和上图类似,直流电源为32V,CELL15至CELL9之间短接,但是未移除9-15的分流器;PACK+、PACKE-未接任何线,此时连接BQSTUDIO,打开FET_ENABL,打开SLEEP_DISABLE,使用万用表测量TP3与GND的电压差,刚开始显示42V,但很快测得的电压开始下降,同时闻到一股焦糊味,立即断电。焦糊味由BQ76952芯片位置发出,芯片外观无肉眼可见的损坏;测量电荷泵C3两端的电阻,显示12.3欧姆,可以判断BQ76952芯片内部控制电荷泵的充电回路出现损坏,完好的情况下C3两端是测不出电阻的。
BQ76952芯片损坏后,重新连接到BQSTUDIO上,模拟电池的电压可以正常显示,保护可以正常产生,连接到真实的电池上尝试进行均衡时,均衡未按照设置条件启动(已配置均衡,且电池的电压差大于设置的阈值)。
我推测可能有几种问题:
1、BQ76952EVM板本身电路有损坏,就是您提到的短路;
2、BQ76952芯片焊接可能存在问题,但是这一点肉眼观察接线正确,而且其他功能也未受影响;
3、是否会由于接线不牢固,导致芯片烧坏?但是换芯片之前也存在芯片损坏的情况,按说不应该是由于接线不牢固导致芯片烧坏。
若是由于EVM板电路短路的原因,您是否有其他的建议以测试EVM板的短路位置?如何排查EVM板本身没有问题?期待您的答复。
您好,我今天测了一下板子上的元器件,发现CHGFET旁边的D4齐纳二极管被烧坏了,就想起这是换芯片之前烧坏的,当时是连着电池,想要使用充电器给电池充电,打开充放电开关后,很快出现焦糊味,当时以为是连接线的被烧坏了,今天才发现是D4被烧坏了。之前换芯片时未发现D4烧坏,换了芯片之后打开CHGFET和DSGFET导致芯片被烧坏应该不是D4未更换的原因。
D4的作用是保护CHGFET不被烧坏,D4两端的反向电压差高于16V就会被烧坏,而CP1脚的电压高于电池组电压15V就会被烧坏,所以最终的原因是电荷泵充电超过了CP1内控制开关和D4的耐受电压,由于公开的资料中未明确电荷泵的充电逻辑,所以我想问一下电荷泵的充电是由什么控制的,如何防止电荷泵充电超过设定的值?期待您的答复。
您好,请参考下面内容
The D4 Zener is placed specifically to protect the CHG FET from voltages above 16-V. This typically only happens during events of large transients, like a short-circuit event.
During normal operation there will always be a ~11-V voltage across the D4 Zener, when the part is OFF the voltage across the diode would be ~0-V. So typically the Zener would not be exposed to a voltage above 16-V.
The part will always control the charge-pump in relation to the BAT voltage. So it will always be ~11-V above the battery voltage.