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在生产过程中，器件出现了损坏。主要损坏的器件是Q8，偶尔Q10和D25也会损坏。MOS管选用的型号是WSD60N10GDN56。是由于C43和C55的焊接关系吗？
Hi
如果是仅仅损坏Q8, 更换Q8后，有没有确认这个时候Q8的驱动，IDS, VDS等电压和正常品是否有明显区别？
请教一下，测试人员使用的POE供电设备，明显与TPS23754芯片没有握手过程，是否会对芯片有损坏？
有正常产品，还是都有烧MOS?
如果启动就烧，确认是会影响握手。
有正常产品。测试过程中发现，有一些PCBA第一次上电正常，断掉网线，再次插上网线，MOS就烧毁。
并且我通过测量MOS管 VDS两端电压，发现有问题的板子，VDS的波形 有ns秒级 噪声，但是该噪声已经超过的MOS的SOA
建议完全参考： https://www.ti.com.cn/cn/lit/ug/slvu304c/slvu304c.pdf 第三页。
HI
有没有将同步整流完全改成上述参考电路确认下？
