LM5050-1-Q1: LM5050-Q1

想请教一下，您认为的不可以的原因是什么呢？

Hi

    你可以参考： e2echina.ti.com/.../faq-lm5050-1-lm5050-1-lm74700-q1-tps241x-mosfet

所以就像我问题中的描述一样，这个参考答案的解释是针对外置MOSFET是common drain接法的解释，而不是common source的解释呢？

HI

    文档中提到理想二极管控制器不适合驱动两个背对背 MOSFET，LM74700-Q1、LM5050-1 和 LM5050-2 等控制器用于反向电池保护应用以及 ORing 应用。这些控制器的栅极驱动是类似的，都是通过将栅极与源极短路（IN 引脚、A 引脚或阳极）来关断 MOSFET，如图 3 所示，该图将 VGS 设置为 0V。由于 VGS = 0V，MOSFET Q1 关断，但对于 MOSFET Q2，VGD = 0V 且 VGS 不等于 0V。因此 Q2 保持导通，充当电压跟随器，且 VOUT = (VBAT – 0.7 – VGS (TH))。

    这些芯片驱动设计上本身并没有考虑到要用到背靠背的情况，在TI的BQ系类充电芯片中，很多芯片在输入都有背靠背MOS控制，其驱动电路和上述LM74800之类是不同的。

    有推荐使用的背靠背芯片LM74800-Q1（实际是双驱动）。