This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
如图，充电mos管关闭时，充电电源有一个波动电压，高于B+*2（B+最高电压为3.6V，铁锂电池）电压，通过此路径进入bq27z746，烧坏IC；R9和R10修改为1K后，此现象消失；能否帮忙评估一下，修改此电阻是否会有其他影响？我们也测试了部分样品，暂时没有发现异常。
您好，它会减慢 FET 响应时间。除此之外不会有太大影响。
