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BQ76952: 如何提升抗ESD能力

Part Number: BQ76952
Other Parts Discussed in Thread: BQ76942, TIDA-010208, TIDA-010216

请教一下专家,BQ76952芯片自身的ESD能力为±1KV,在我们产品的电池采样连接器处使用空气放电±8KV打静电时,采样的滤波电阻会损坏,如下如中100R。

当我尝试增加滤波电阻R削弱静电能量时,发现手册推荐滤波电阻最大不超过100R。后期可能会尝试在接口处添加二极管等防护器件,请问是否有推荐的已经经过验证的ESD方案能将AFE的静电能力提升至空气静电±15KV水平,期待您的回复。

  • 您好,测试报告如下:BQ76942 IEC ESD 61000-4-2 Test Report

    www.ti.com/.../sluaa15.pdf

    请参考参考设计TIDA-010208,已经测试了超过 +/- 15kV 的电压,没有任何问题。

  • Hi,Star

    感谢您的回复,我已看到了TIDA-010208中的相关设计,其中有一处设计不明白还需请教:

    1.如下图所示稳压二极管放在了MOS的G-S之间,而非放在VC16-VC15之间,在此处或许是为了保护MOS不会因为GS过压而损坏,但我看到了

    TIDA-010216设计文件中使用BJT时也采用了同样的设计。我所见到的设计通常将稳压二极管放在VC16-VC15之间,起到ESD保护作用的同时还能防止AFE的端口过压损坏芯片,所以请帮忙解答设计文件中稳压二极管放置在此处的用意,谢谢。

  • 您好,TIDA-010208 中的齐纳二极管(TIDA-010216 中的 NC)用于保护平衡 MOSFET(Q15、Q16)。您仍然可以将齐纳二极管放在 VC16 和 VC15 之间以保护引脚。BQ76952 在每个 VC 引脚上支持 85V 最大电压,因此通常我们认为它相对于电池电压 (2V-4.2V) 相当强。