LM74700QDBVRQ1在此模式下工作时,它的驱动能力怎么去评估?比如说N-MOS的Ron为1mR,它是否可以驱动100A的负载呢?
另外,手册中的参数V(AK),是指在负载电流与Ron的乘积超过V(AK REG)时,LM74700QDBVRQ1不再进行栅极电压调节以使正向压降为20mV的条件(即阈值)吗?
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
LM74700QDBVRQ1在此模式下工作时,它的驱动能力怎么去评估?比如说N-MOS的Ron为1mR,它是否可以驱动100A的负载呢?
另外,手册中的参数V(AK),是指在负载电流与Ron的乘积超过V(AK REG)时,LM74700QDBVRQ1不再进行栅极电压调节以使正向压降为20mV的条件(即阈值)吗?
HI
1. datasheet没有提及带载能力,但是这个芯片一般带的负载电流并不大。
2. 见datasheet 第14页9.3.3 Gate Driver。