LM5069: Questions about the use of the chip

您好

针对您关于LM5069的问题，请参考以下说明：

1. LM5069电源与地线接反的话，芯片会损坏吗？

LM5069芯片在电源与地线接反的情况下，其损坏的可能性是存在的。然而，具体的损坏情况可能取决于电路设计、保护措施以及接反时的具体条件。一般来说，如果电路中没有适当的保护机制（如防反接二极管、保险丝等），电源接反可能会导致电流反向流动，进而损坏芯片内部的电路元件。

为了防止电源接反导致的损坏，建议在电路设计时加入防反接措施。例如，可以在电源输入端串联一个正向二极管，利用二极管的正向导通、反向截止特性来防止电源接反。

2. 关于限流功能，芯片的VSNS电压建议不小于5mV（取样电阻选用1mΩ，最大输出电流为55A，所以启动MOS限流功能时最小电流为5A）。由于我们的输入电压高达60V，如果电流5A的话，则不小于5mV，mos所接受到的功率最大会达到60X5=300W，MOS所受的应力还是太大了，所以此时需要较小的电流通过MOS，能不能用较小的VSNS电压值呢？按照规范，当VSNS小于5mV时，电流取样精度不高，这个精度有没有比较确定的数值呢？

关于VSNS电压和限流功能的问题，确实需要权衡电流取样精度和MOS管应力。

• 首先，VSNS电压是电流取样的关键参数，它决定了电流取样的精度。按照规范，VSNS电压不小于5mV时，电流取样精度较高。如果降低VSNS电压以提高MOS管的应力承受能力，可能会牺牲电流取样的精度。
• 其次，MOS管所受的应力与通过其的电流和电压有关。在输入电压高达60V且电流为5A的情况下，MOS管确实会承受较大的功率（300W）。然而，需要注意的是，MOS管在设计时通常会有一定的功率承受能力，且在实际应用中会配合散热措施来降低温度，从而减轻应力。
• 如果确实需要降低MOS管所受的应力，可以考虑以下几种方法：
  • 增加取样电阻的阻值，以降低在相同电流下的VSNS电压。但这样做会牺牲一定的电流取样精度。
  • 使用具有更高功率承受能力的MOS管。
  • 优化散热设计，以降低MOS管的工作温度。

关于电流取样精度的具体数：

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1300382/lm5069-current-sense-accuracy?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=LM5069%25252520%25252520Current%25252520measurement%25252520accuracy#

这是相关帖子说明。

3. 芯片启动后我们芯片设置的最大电流是55A，当负载电流小于55A（比如45A）时芯片能正常工作吗？

当负载电流小于设置的最大电流（55A）时，LM5069芯片能够正常工作。LM5069芯片具有限流功能，可以限制通过外部MOSFET的电流不超过设定的最大值。当负载电流小于这个最大值时，芯片会根据实际负载电流进行调整，确保电路的稳定运行。因此，在负载电流为45A（小于55A）的情况下，芯片能够正常工作并满足负载需求。

您好

正常情况请参考之前给您分享的帖子，低于5mv会低于帖子中的参考值，但具体是多少没有详细数据，且如上述说明不建议低于5mv会影响采集精度。