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LM5109B: 半桥驱动,高边长时间导通咨询

Part Number: LM5109B

1、前述,常规半桥驱动IC应用,一般都是工作在PWM状态下,且为了降低成本,高边浮动电源使用自举电路实现;但PWM占空比<100%;

2、如果高边浮动电源使用隔离电源,那么PWM占空比可以达到100%;

问题:如描述2所述,如果我使用了隔离电源给高边VB-VS进行供电,那么PWM占空比能达到100%,是否等效于高边输出HO可以一直输出;

目前我有个电路,需要用MCU的IO去控制板桥驱动IC控制高边MOS管;高边电源使用了隔离电源提供;但实际测试时发现,HIN=1,LIN=0,HO输出逻辑“1”之后很快就关断了,也就是:

即使使用了高边隔离电源,但是HO还是无法长时间驱动MOS管输出;占空比100%不等于长期导通;还是说 我理解错误了呢???

  • 您好

    关于你提到的问题,PWM占空比达到100%确实意味着在理论上,高边输出HO应该能够一直输出高电平,但这并不等同于在实际应用中HO能够长时间稳定地驱动MOS管输出。

    首先,我们需要明确一点,PWM占空比100%只是指在一个PWM周期内,高电平的时间占据了整个周期的时间,但这并不意味着HO会无限期地保持高电平状态。在实际应用中,还存在许多其他因素会影响HO的输出状态。

    对于你提到的电路情况,即使使用了高边隔离电源,HO还是无法长时间驱动MOS管输出,这可能是由于以下几个原因造成的:

    1. 驱动IC的自身限制‌:有些驱动IC在设计时就考虑了保护机制,比如过流保护、过温保护等。当检测到异常情况时,驱动IC会自动切断输出以保护电路。因此,即使PWM占空比设置为100%,如果驱动IC检测到异常情况,HO也可能会被关断。

    2. 电源稳定性问题‌:虽然你使用了隔离电源给高边VB-VS供电,但如果电源的稳定性存在问题,比如电压波动、纹波过大等,都可能会影响HO的输出稳定性。

    3. MOS管参数不匹配‌:如果选择的MOS管参数与驱动IC不匹配,比如栅极电容过大、阈值电压过高等,都可能导致HO无法有效地驱动MOS管。

    4. 电路设计问题‌:电路中的其他元件或布线方式也可能对HO的输出产生影响。比如,如果电路中存在寄生电感或电容,就可能导致HO的输出波形出现畸变或延迟。

    5. MCU控制逻辑问题‌:最后,还需要检查MCU的控制逻辑是否正确。如果控制逻辑存在问题,比如没有正确地设置PWM占空比或没有正确地控制HIN和LIN的输入状态,都可能导致HO无法按预期输出。

    综上所述,即使使用了高边隔离电源且PWM占空比设置为100%,HO仍然可能无法长时间稳定地驱动MOS管输出。因此,在设计和调试电路时,需要综合考虑多个因素并进行详细的测试和验证。