TDA4VH-Q1: MCU domain SRAM 用途

Part Number: TDA4VH-Q1

在 TDV4AH 中的 MCU domain,有一个 1MB 大小的 SRAM。有以下问题:

1. 该 SRAM 具体存储什么东西?是临时数据,还是代码,或者是其他东西,是否有 memory map 说明

2. 该 SRAM 的数据是从哪里加载进来的?是从片外的 FLASH 吗?

3. 该 SRAM 大小只有 1MB,且 MCU Domain 上的 RAM 大小一共 1.5MB(1MB SRAM + 512KB SRAM),这样的大小能否满足 MCU application 的正常运行?在 application 运行过程中,是否用到了其他 memory,例如 ddr 等

  • 您好

    针对您关于TDV4AH中MCU domain的SRAM的问题:

    1. SRAM的用途和内容:
      • SRAM通常用于存储临时数据、中间结果、堆栈、变量等。在嵌入式系统中,SRAM由于其高速访问的特性,常被用作运行时的数据存储空间。
      • 至于是否存储代码,这取决于具体的系统设计和MCU的架构。某些系统可能会将部分代码(如中断处理程序或经常执行的代码段)放在SRAM中以提高执行速度,但这并不是普遍情况。
    2. SRAM数据的来源:
      • SRAM中的数据通常不是直接从片外FLASH加载的。在MCU上电或复位后,代码(通常是启动代码或引导加载程序)会从片外FLASH或其他非易失性存储器中加载到SRAM中。然后,这些代码会执行初始化任务,并可能进一步从FLASH或其他外部存储器中加载数据或代码片段到SRAM。
      • 有时,为了快速启动或执行关键任务,部分代码或数据可能预先烧录到SRAM中。但这通常不是常规操作,而是针对特定应用或需求的优化。
    3. SRAM大小是否足够:
      • SRAM大小是否足够取决于MCU application的复杂性和需求。1MB的SRAM对于许多嵌入式应用来说是足够的,特别是当代码和数据访问速度至关重要时。
      • 然而,对于更复杂的应用或需要处理大量数据的系统,1MB可能显得不够。在这种情况下,设计师可能会考虑使用其他内存资源,如外部DDR存储器,来扩展数据存储空间。
      • DDR等外部存储器通常用于存储大量数据或代码,这些数据或代码在运行时按需加载到SRAM中。这样,虽然SRAM的大小有限,但系统可以通过外部存储器访问几乎无限的数据和代码。

    总结:SRAM在MCU domain中扮演着关键角色,用于存储临时数据和变量。其数据通常从外部存储器(如FLASH)加载,但具体加载方式和内容取决于系统设计和应用需求。至于SRAM大小是否足够,这需要根据具体的应用场景和需求来评估。在需要更多存储空间的情况下,外部存储器(如DDR)可以作为一个有效的扩展选项。

  • 感谢您的回答。

    1. 针对问题 1 和问题 2,是否有一定冲突?在问题 1 的回复中,表示 SRAM 主要用于存储数据,大多数情况不会用于存储代码;在问题 2 的回复中,表示 boot 时会将代码从片外 FLASH load 到 SRAM 中,进而执行初始化操作。

    2. 当 SRAM 执行完 boot 程序后,是否可以将这部分内存覆盖掉,运行 application 的堆栈?

    3. 针对问题3的第三点,是指 MCU Domain 的 R5F CPU 会访问、执行 SRAM 中的程序、数据,不会直接访问 DDR 中的程序、数据吗?换句话说,每当 R5F 要运行一段程序和数据,当这些程序和数据不在 SRAM 中时,会从 DDR 中 load 到 SRAM 中,再从 SRAM 中执行吗?听上去感觉有一些像 L3 Cache 的感觉。

  • 您好

    1、请详细看解释说明,不是说不可以放代码,而是不通常。“某些系统可能会将部分代码(如中断处理程序或经常执行的代码段)放在SRAM中以提高执行速度”。

    2、如之前的描述中说明,您可以这样操作,但是如问题1的说明一样,不普遍这样用,您可以这样用。

    3、您说的这不是通常操作,如果一般情况下不需要将程序导入SRAM,一些特殊情况(“有时,为了快速启动或执行关键任务,部分代码或数据可能预先烧录到SRAM中。但这通常不是常规操作,而是针对特定应用或需求的优化。”)做如此操作。