[参考译文] TMS570LS1227：数据闪存擦除时间

您好 Steve、

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在执行扇区擦除时、单个扇区的擦除时间是最坏的情况、在执行组擦除时、整个组的擦除时间是最坏的情况。 在组擦除中、所有扇区同时被擦除、因此组擦除的时间等于擦除最慢扇区的时间。

擦除时间随着写入擦除周期的数量而降低。 有时在擦除期间、陷阱(卡在氧化层点阵中的额外电子或孔)会在擦除氧化层中形成。 这些陷阱会使下一次擦除变得更困难。 有些陷阱会随着时间和高温而退火。 TI 非常谨慎地指定了最大擦除时间、以应对高温下最坏的情况：90、000个周期(其中陷阱最容易形成)、写入擦除周期之间没有时间(没有时间让陷阱进入模拟状态)、 然后、在低温下具有10、000个写入擦除周期(其中擦除脉冲的效率最低)。 设置了8秒规格、以便即使是擦除器件的最慢速度也能在这些极端条件下完成。

总之、擦除时间主要随着写入擦除周期的数量增加、其次随着温度的降低而增加。 此外、器件之间的最大擦除时间差异很大、因为它们接近100、000个写入擦除周期限制。

感谢 QJ