如图,硬件原理图基本同TI的官方DEMO板,电感更换为15uH,MOS管更换为仙童的FDP150N10,不使用内部LDO,VCC由外部13.4V电源供电。
主要出现问题有两个
1)上MOS开通瞬间,下管驱动波形出现振荡,振荡幅度可达±10V以上,频率在55M级别;
2)电流超过3A后,开关频率降低为120KHz(原来为230KHz),MOS驱动波形上出现窄脉冲(窄脉冲的出现频率大致为230KHz,约等于设定的开关频率值)。
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如图,硬件原理图基本同TI的官方DEMO板,电感更换为15uH,MOS管更换为仙童的FDP150N10,不使用内部LDO,VCC由外部13.4V电源供电。
主要出现问题有两个
1)上MOS开通瞬间,下管驱动波形出现振荡,振荡幅度可达±10V以上,频率在55M级别;
2)电流超过3A后,开关频率降低为120KHz(原来为230KHz),MOS驱动波形上出现窄脉冲(窄脉冲的出现频率大致为230KHz,约等于设定的开关频率值)。
你好Guan
从你的最后一个波形来看似乎你的上管开通耦合到下管了,当然并不一定有这么大的影响,因为测量可能有些问题。
1. 试着把你的驱动电阻调大,看看这些噪声有没有降低;
2. 看看你的布板,上下管是不是已经比较近了,这块的环路要最小。具体可以参考我们EVM板上的走线。