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我用两片LM5101B去驱动Ｈ桥ＭＯＳ管，做一个Ｄ类功放，加上方波信号（１５０Ｋ方波，已经加了５００ｎｓ死区延时），空载总电流３００多毫安，驱动芯片发热严重，一会就烧掉了，换了一片芯片后，我先把方波信号频率降到１０ｋ没有问题，输出正常，但是频率增加到３０看时驱动芯片又开始发热，后来加到１００ｋ时，一会又烧掉了，到底是怎么回事啊？求教！附件是功率级电路图。
按照您的设计，看起来是LM5101B驱动能力不够，Vdd的电流等于MOS的Qg乘以频率：Id=Qg*f=50nC*100K=5mA(如果驱动输出10V左右或者说MOS, Vgs电压在10V左右，对应Qg=50nC左右，频率取100kHz), 按照LM5101B datasheet ，操作电流在3.5mA以内。
所以当频率较高时,操作电流会比较高，而且会同时驱动2个mos, 电流翻倍，超出芯片的驱动能力，同时会引起芯片发热、。
这下惨了，几片芯片都烧了，你说的那个操作电流我不是很明白，是不是指的Idd的平均电流啊？但是datasheet上说的操作电流是在500k时测得数据啊，我这只有100k就烧了，烧了的芯片Ho和HS直通了，更纠结的是开始的时候整个板子正常工作了一段时间。
之前我用的IR2110做驱动，也是总烧驱动芯片，至今也没搞明白怎么回事!
操作电流就是Idd的平均电流。驱动芯片包括电源芯片自带的驱动都是要注意驱动能力的，您选用的MOS Qg比较大，所以会造成较大的Idd电流需求。 datasheet 并没有清楚描述500kHz时的测试参数。
请问在实际电路中VDD和VSS pin脚之间的电容存在吗？
驱动电路的散热很重要，请参考数据手册12页的推荐布局，尤其是底部pad连接。
存在的，我各加了一个1uF的电容。可能是这款芯片驱动能力不够，不适合做100K以上的电路驱动吧！谢谢你的回答，
我也觉得驱动能力不够！谢谢你的回答！
推荐您采用UCC27211之类的驱动芯片： www.ti.com.cn/.../getliterature.tsp
UCC27211驱动能力相对比较大，或者您需要注意MOS的选取，可以选择Qg相对较小一点的MOS.
