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【电池保护FAQ】BQ77908, BQ77910, BQ77PL900

Other Parts Discussed in Thread: BQ76925, BQ77908-10-GUI-SW, BQ77PL900

bq76925 EVM 评估 GUI 电流跳变

Q1:为什么即便 EVM 没有电流通过,bq76925 评估的电流读数还是跳个不停?

A:EVM 采用 VIOUT 的过滤输出作为 MSP430 ADC 的一组输入。在默认参考设置为 1、增益选择为 时,LSB  732 mA,如产品说明书表 所示。在评估软件 1.4.0.0版中,已决定不对电流读数进行过滤。因而 1 LSB 的变化就会显示 732 mA 的读取跳变,+/- 1 LSB 差异就会显示双倍跳变值。预计实际系统实施会设置适应系统范围的适当增益,并过滤电流读取。

Q2:我在使用探针对 VIOUT 信号进行针测时,电流读数为什么会变化?

A:bq76925 不直接测量 SENSEN  SENSEP 输入上的差动电压。在产品说明书第 页的方框图中,请注意可选择 VIOUT 来监控 SENSEN  SENSEP。启动轮询时,评估软件会启用 VIOUT,并选择 SENSEN 输出作为参考。在建立时间之后,其可测量 SENSEN 值并转换至 SENSEP。获得 SENSEP 读数后,对电流进行计算并更新。对于轮询序列的其余部分,该程序使用 SENSEN 值进行计算。启动轮询后为滤波器添加的的范围针测或其它负载会改变 ADC 输入的 电平,并显示在SENSEP 值上。由于 SENSEN 不变,这将计算为电流失调。电流会像以前那样继续显示 LSB 分辨率的跳变。为了避免针测加载产生电流失调,请在连接探针后停止并重启轮询。

bq77908/bq77910  CCAPDCAP 最大绝对值是多少?

Q:CCAP  DCAP 没在产品说明书的最大绝对值表中。这些引脚的极限值是多少?

A:由于产品说明书规范中并没有提及,因而这两项可视为分别与 CHG  DSG 相同。敬请密切留意更新信息,并使用最新版本的产品说明书。

bq77908/bq77910 电池输入问题
Q:bq77910 EVM 为什么在 D18 上有 TVS 二极管?我的设计中是否也需要一个? 输入是否需要钳位二极管? 哪些输入最敏感?
 
bq77908  bq77910 的输入有两个最大绝对额定值。一个是差动电压,另一个是单端电压。差动限制在测试或连接过程中最重要,这时部件可能会加载一组输入,同时向另一组输入施加电压。在静态工作情况下,电池将在该限值内提供稳定的电压。平衡机制会提高临近平衡的电池输入差动电压。单端限制在封装和测试方面可能是一个需要关心的事项,但由于电感瞬态的原因,其在工作过程中也可能出现问题。输入滤波器与系统瞬态保护必须将输入保持在最大绝对额定值以内。

器件系统工程师建议在顶部钳位二极管使用的 VCx 输入应对应于电池数量,以补偿系统级瞬态抑制。这就是 EVM  VC1  D14  D12。通过滤波器的任何东西都将在顶部电池输入端受到限制,电容将形成分压器,并将较低输入保持为低。这种安排非常有优势,因为只有一个二极管,而该二极管内的任何泄漏都针对所有电池。在EVM 的早期测试中发现,某些电池的第四个电池输入可能会在短路测试中损坏,因此添加了 D18

EVM 保护方案不见得适合所有系统。该技术是否适用,能否提供足够的保护,存在不确定性。系统必须针对 V = L x dI/dt 提供保护才能产生效果。电感‘L’很大程度上由电池固定,但互连结构会产生影响。电流‘I’将随电池及协议栈设计不同而相应变化。‘dt’开关时间将取决于系统开关和保护器开关。

输入电阻器可为滤波提供电容及平衡电流。EVM 等电路希望使用最大内部平衡电流,因此电阻较小,而且滤波器可能无法很好地抑制瞬变。钳位对确保部件安全将发挥更重要的作用。由于较大电阻可支持较低的平衡电流,因而滤波器效率会更高,同时所需的钳位也可能更少。

根据产品说明书的介绍,输入的单端最大绝对值为每个电池 5V。内部电路实施对不同输入而言可能会存在差异,可能有的输入需要更大的裕量。这并不是说可以不考虑最大绝对值,而是应密切留意查阅最新版本的产品说明书,以了解器件的限制信息。下表是最敏感引脚列表,可帮助用户了解开发测试过程中为什么某些引脚会先损坏。

自下而上的电池数量
bq77908 引脚
bq77910 引脚
10
VC1
4
VC5
VC7
1
VC8
VC10

 

bq77908/bq77910 电池仿真电阻器

Q:就 bq77908  bq77910 而言,电池仿真电阻器应该使用什么值?或,读取寄存器时为什么器件会关断?
 
A:bq77908/bq77910 支持开路电池检测功能,可定期加载电池输入以确定是否有电池存在。这将限制电路板测试中仿真电池可接受的电阻值。

1k  200 欧姆的电阻值范围适合一般性测试。如果电池输入由开路电池检测脉冲进行采样,则所有电池输入上的电压都会有一定变化。虽然较小电阻会增加电流,产生更多的热量,但我们还是建议实际的电阻采用最小值,以减少电压变化。

如果在大阻抗或接近电压阈值的情况下工作,那么电池输入电压的变化可能会暂时超出阈值。通常这不是什么问题,因为时间延迟将过滤掉瞬态条件。不过,如果阻抗足够大,就会检测到开路电池故障。此外,器件通信要求设置零延迟特性(ZEDE 引脚为高)。如果在进行通信时正好发生开路电池采样,那么器件在配置允许的情况下就会关断。附图显示了一个实例,此处的 10k 电池仿真电阻被开路电池采样大幅拉动,其在 ZEDE 高脉冲情况下下降,从而导致器件关闭。


为了避免这种情况发生,可使用极低值的电池仿真电阻器,工作时避免接近器件阈值,如果可能的话应该在通信过程中保持 CHGST 为高。使用低阻抗电压电源可消除这一问题。编程时应将 CHGST 保持为高。

bq77908/bq77910 CHGST 问题

Q1:我该给 CHGST 提供何种电平?

A:如果使用逻辑电平,高压可为 3V。请注意,就 VCHG_DET1 的最低值而言,逻辑将必须提供很好的“低”电平。标准的最大高逻辑 (high logic) “低”电平可能还不够好。CHGST 对施加电压的输入容限最高为 BAT 引脚值,具体请参见表格和说明中的最大绝对值。

通常情况下,如果不使用逻辑信号,CHGST 信号可由 BAT 引脚或 PACK 引脚的分压器提供。分压器比(voltage divider ratio) 可提供高于 VCHG_DET1 同时又处在被允许的最低电池组值上的电压,且提供的电压在所有情况下都比 BAT最大绝对值低一些。在某些情况下,可能需要更为复杂的电路。

Q2:我该为 CHGST 提供何种脉宽?

A:通常情况下 CHGST 应为 DC 信号,电池组连接到充电器就会走高,当移除充电器时就会走低。

模拟输入的响应时间将随电压的不同而有所差异。刚刚高过 VCHG_DET1 阈值的电压可能比 3.3V 电平导致的响应速度更慢。此外,启动时的电压评估可能随电压的不同而有所差异。CHGST 需要执行一系列任务,而且其持续时间根据部件状态的不同而各异。

1.     启动稳压器。如脉冲过短,则 VREG 电压会下降;
2.     如持续时间足够长,则逻辑会锁存 VREG 状态;
3.     稳压器锁存且稳定后启动保护系统。

建议:
  • 对于系统中典型的多端接电池组而言,应将 CHGST 作为 DC 信号提供;
  • 对于没有 DC 信号的电路实施方案而言,应提供 CHGST 直到 FET 关闭;
  • 对于电路板测试或其他电路而言,用 200ms 脉冲启动,并根据情况优化脉冲持续时间。切记,CHGST 在编程时应保持为高。

 

bq77908/bq77910 通信:我能否使用 EV2300?

Q1:我能使用 V2300 与 bq77908 或 bq77910 进行通信吗?

A:不能。部件的 BQ77908-10-GUI-SW GUI 软件不支持 EV2300。其他电量监测计或保护器器件的评估软件也不会支持相关器件的寄存器设置或比特位定义。如果要采用 EV2300 编程环境,可能需要编写代码。使用 EVM 时,无论 EVM 还是 EV2300 都不能上拉通信线路,所以必须外部提供。

Q2:GUI 软件使用何种 TI 接口?

A:USB-TO-GPIO EVM 由 BQ77908-10-GUI-SW 提供支持。如欲了解设置信息,敬请参见 EVM 用户指南:www.ti.com/.../sluu368。

bq77908/bq77910 电流感应。为什么跟我预期的跳变不一样?

Q:为什么 bq77908 或 bq77910 电流感应水平和延迟与我的设置不匹配?

A:bq77908/bq77910 用 SENSE+/- 引脚电压对应电流,可连接至检测电阻器,可通过滤波器网络连接。描述中的阈值可以是电流或电压。如果电流跳变水平与期望的不同,则应检查以下事项:

检查器件设置,确保获得所需的编程值。使用 BQ77908-10-GUI-SW 读取 EEPROM 或将EEPROM 拷贝至易失性寄存器,以检查部件的值。

确保所有电流在检测电阻器中流动。仔细检查,确保没有意外的电流路径穿过测试设备,因为这可能导致检测电阻器旁路。

确保电路板上检测电阻器的值是所预期的。

确保设计方案具备与检测电阻器的 Kelvin 连接。如果电路板的检测连接脱离高电流路径上的电阻器,则器件接收的电压上应包括额外的线迹电阻,并可减少部件跳变的电流。德州仪器 (TI) EVM 的 R50 采用 Kelvin 连接,在变为单检测电阻器时应使用该电阻。此外,检测电阻器焊接也应有电阻。一个四端检测电阻器可从高电流路径到不同焊点进行检测,不过一般的保护器应用无需考虑此问题。

可根据产品说明书规范考虑预期情况。

如果您在进行环境评估,确保不对器件状态进行轮询。与器件的通信需要设置 ZEDE 信号,这会产生最少的响应延迟,并清除时间延迟的噪声过滤。部件可能会执行早期保护,而且在轮询与电流脉冲不同步的情况下可能会表现出出错。此外,即使没有延迟过滤,它也会响应于超短的电流或噪声峰值。

参见图 1 到图 3,了解以下项目。就这些图例而言,部件的 OCDT = 225,SCDT = 300 mV 1651.bq77910-current-sense-FAQ-figures.pdf

检查电流是否发生变化。电流在检测延迟时间内必须高于阈值。在图 1 中,电流是矩形常量脉冲。当电流低于阈值时,保护不触发。当电流高于阈值时,延迟时间设置 DSP 为低且 PACK- 升到 PACK+ 水平后,部件开始保护。

在图 2 中,电流随脉冲的变化而存在差异。尽管平均电压可能高于阈值,但低于阈值的偏离将终止延迟,而且器件不会跳变。在电流持续高于阈值的情况下,OC 保护跳变。

如果负载电压非常活跃,请注意 SC 阈值可能在电流仍高于 OC 阈值时就会达到。这种情况如图 3 所示。请注意,图 2 和图 3 显示了缓慢反复变化的电流,实际系统的电流变化可能要短得多。

检测电阻器和器件 SENSE+/- 引脚之间的过滤网络可减少器件检查差异。TI EVM 使用滤波器。应注意,滤波器会对器件引脚电压产生延迟,这将随电流脉冲强度而有差异。电流大幅高于阈值,则延迟短于电流仅略高于阈值。图 4 通过对应于通用滤波器响应曲线的两个范例阈值显示了变量。延迟在较短 SCD 延迟设置下通常最明显。

bq77908/bq77910 独立充电温度阈值

Q:我在充电过程中能否设置较低的过温阈值?

A:无论是 bq77908 还是 bq77910 均采用统一的固定过温阈值。如欲了解可让充电器共享热敏电阻的特性,敬请参阅产品说明书。

如果充电器可向电池组提供“存有充电器 (present)”信号,而该电池组通常用于向部件的 CHGST 引脚提供信号,那么同样的信号也可用于控制 FET,切换与热敏电阻并联的电阻。并联电阻使表观热敏电阻降低,这会导致在较低温度情况下达到过温阈值。选择具有适当阈值电压的 FET,并为 FET 栅极提供全面的额外保护。已知达到过温阈值的热敏电阻,采用处于所需较低温度的热敏电阻来计算可达到这一电阻值的并联电阻,并选择相应的电阻。

 

 

  • bq77908/bq77910 状态寄存器

    问:状态寄存器的地址和比特位置是什么?我想在电路板测试程序中对其进行检测。

    答: bq77908 与 bq77910 状态寄存器并未在产品说明书中提供,但在却在 GUI 中出现。部件在正常工作情况下不能存取状态寄存器,但在电路板测试或系统评估方面却非常实用。切记,由于必须将 ZEDE 设为高电平才能存取寄存器,因而读取寄存器会对部件形成干扰。

    两个寄存器的地址为 0x0C 和 0x0D:

    比特地址

    7

    6

    5

    4

    3

    2

    1

    0

    0x0C

    奇偶

    开路电池

    过温

    欠压

    过压

    过流放电

    短路放电

    短路充电

    0x0D

    预留

    预留

    预留

    预留

    预留

    预留

    短路热敏电阻器

    开路热敏电阻器

    问:何谓奇偶位?

    答: 如产品说明书所述,器件检查 EEPROM 是否存在数据错误。如果比特位在编程后设置,则检查编程过程中 CHGST 线路保持为高,且 EEPROM 电压在应用间隔期间在指定值以内。如果比特位在工作后设置,则部件可能已被某应力过大事件或情况所损坏。

     

    bq77908/bq77910 温度阈值计算

    如何设置 bq77908 的温度阈值?或如何调节热阻的 VTSB 电阻?

    乍一看似乎不太清楚,不过电路其实就是一个简单的电阻分压器。该器件可将外部电路电压和固定内部电压进行比较,检测是否超过温度保护阈值。其中:

      • RSET 是 VTSB 与 TS 之间的电阻;
      • RTRIP 是所需跳变温度的热敏电阻;
      • VTS 是过温保护时的 TS 引脚电压;
      • VVTSB 是 VTSB 引脚电压;
      • VHOT 是产品说明书中过温阈值参数。

    TS 引脚电压由外部电阻和热敏电阻分压:

    VTS = VVTSB X  RTRIP /(RTRIP  + RSET)

    TS 引脚低于过热温度水平时,器件将获得保护。在产品说明书中,VHOT 为 VVTSB 的百分比,19%是最大与最小的中间值:

    VHOT = VTS/VVTSB = 0.19 = RTRIP /(RTRIP  + RSET)

    根据热敏电阻产品说明书了解所需跳变温度的热敏电阻值,计算 RSET 电阻并选择适当的电阻。如果您需要特定温度跳变触发,请确保设置相应的阈值限制并考虑所有组件的容限。


    bq77908/bq77910 意外关断或 FET 周期问题

     

    为什么 DSG 输出会在我连接电池负载且电流脉冲并未超过短路限制时关闭?

    为什么 DSG FET 会在短路事件后进行周期性循环?

    为什么 bq77908 会在我的微控制器执行 X 时关闭?

    发生上述情况一个可能的原因就是 VREG 引脚上由系统瞬态引发电压,导致压降低于 VPOR 电平。然后器件复位关闭 FET 输出,也可能根据 CHGST 引脚关闭稳压器。此外,瞬态可能还会耦合到 CHGST 输入上,系统也可能出现 CHGST 引脚为高的情况,这时部件将会在启动延迟后再次设置 DSG 引脚打开。请注意,DPCKN 为高不是避免启动的条件。下图显示了函数生成器引发的复位和恢复,从中可看到相对较短的 CHGST 脉冲能够保持 VREG 打开,并导致部件唤醒。

    下列建议有助于避免此类事件:

    使用足够的 CVREG 电容并回连至 VREG VSS 之间较短的低电感路径。避免接地参考与高电流路径进行多个连接,这会导致系统电流参考引发不同的电压。建议将接地参考层区域连接到某个点的高电流路径。

    避免导致高电流和 VREG /CHGST 线迹之间耦合或串扰的路由。

    CHGST 上使用低阻抗电路。虽然大电阻对电池应用极为有利,如某些 TI 示意图所示,但高阻抗可能较容易引发信号耦合。CHGST 上较小的电容有助于减小阻抗。

    小心 VREG 输出上的电流限制。建议的 10mA 最大稳压器电流可能对驱动多个 LED 来说较低。此外还要注意同时开关事件或微控制器系统中的步进负载。

     

     

     

     

     

     

  • bq77908/bq77910 故障唤醒

     

    当我将电池连接到 bq77908 或 bq77910 时,部件为 OV 或 UV 条件,但所有电池都在 OV 和 UV 阈值之内,这是怎么回事?

    bq77908 和 bq77910 的要求更严格,电池电压在启动时必须在磁滞限制之内才能避免故障条件。这一点在产品说明书第 18 页《上电序列和持续故障检测逻辑》部分有介绍,不过可能单看介绍还难以了解全面问题。

    部件期望电池在电池组唤醒时处于额定电压上。当对电池组进行封装或关闭并以额定电压交付时,就是这种情况。如果电池组关闭时完全充满电,由于欠压或其他开发中出现的问题,电池可能不是额定情况,而且在唤醒时就会出现故障。如果一个或多个电池超过 OV-OVH 阈值水平,部件就会进入 OV 保护状态,且 CHG 输出也不会出现。如果一个或多个电池低于 UV + UVH,则部件将进入 UV 保护状态,并且 DSG 输出不会出现。根据器件的配置,如果移除充电器检测,器件可能关断。如果电池电压足够分散,则两种情况都会出现。附图可能有助于阐述这种情况。7026.cell_spread.pdf

    根据电池的电压,短期充电或放电可能让电池进入恢复范围。在某些极端的电池电压分布情况下,可在唤醒前调整电池电压,或采用平衡技术,可能需要一个或多个平衡/充电周期才能让电池进入相应适合的范围。

     

    bq77910 复位:我如何从永久性故障中恢复?

     

    我的设计 SHTDIS=1,bq77910 在电池连接时唤醒,并在连接所有电池之前设置开路电池故障。产品说明书显示这是永久性故障。我怎样才能避免这一问题并从该故障中获得恢复呢?

    如何对 bq77910 进行复位?

    连接时开路电池故障问题的解决方案之一就是让 CHGST 信号保持低电平,直到电池连接成功为止。部件会在连接时唤醒,但会在后续封装/测试步骤以正常条件唤醒。如果系统不允许,则对部件进行复位以让其返回唤醒前的条件。

    bq77910 没有复位引脚,但可将其电源复位功能 VREG 输出绑定,并可通过让 VREG 电压低于产品说明书给出的 VPOR 来触发复位。一种可能的办法是施加略微低于最大绝对 VREG 电流的 DC 负载,另一种方法是切换 VREG 上的电容负载,以快速给输出电容放电,同时避免高 DC 电流。

     

     

    CRESET 可能与 CVREG 差不多大或略小,Rp 则比较大,能够提供稳压器上的最小负载,但在事件后要让 CRESET放电,Rs ~0 应比较小,才能限制即时电容电流。

    进行复位时 CHGST 保持为高电平,这时稳压器保持打开,器件会再次唤醒。进行复位时 CHGST 为低,则器件将关断。

     

    bq77PL900 EEPROM 编程电压应用

     

    bq77PL900 产品说明书的 EPROM 写入序列部分包含了对如何使用 2 个电压步进以及如何启用平衡的描述,为什么需要这么做呢?

    作者预计用户可能希望通过在电路板上最少的连接对其电路板进行编程。如果电路板可用来分隔电池正极和顶部电池的传感输入,那么电池电源会在电池传感输入为低时提供,如附图 1 所示。如果电路板的设计宗旨是最大限度减少至电池组的连接,那么顶部电池传感将被连接至电路板上的电池正极,如图 2 所示。如果采用较大步进的统一电源,那么电压会在电池输入之间进行不均匀分配,超过最大绝对值,进而导致损坏。产品说明书介绍了让电压处于最低值同时又比较安全的方法,随后打开电池平衡晶体管,以便在上升之前对输入电压进行分压。另一种方法是在测试设备中使用电阻对电池输入进行电池电压分压,如图 3 所示。

    编程无需打开平衡晶体管,目的是提醒用户避免在编程过程中发生损坏。

    1581.bq77PL900_prog_voltage.pdf

     

    bq77PL900 预写入数据回读

     

    bq77PL900 产品说明书指出,将 EEPROM 寄存器设置为 0x62 时预写数据可用。这是什么意思?具备什么重要性?

    可将待写入 EEPROM 的值载入相应的寄存器位置。所有 EEPROM 寄存器同时由 EEPROM 写入序列写入。预写数据回读使用户能够在写入 EEPROM 之前对编程的值进行确认,如 EEPROM 数据写入流程图所示。我们建议在编程之前确认所有值,因为 EEPROM 的推荐写入数非常少。示意图  2605.bq77PL900_prewriting_readback.pdf 显示了回读路径的差异。器件采用 EEPROM 值工作。

     

    模式更改后的 bq77PL900 寄存器值

    当操作模式从独立变为主机模式或主机模式变为独立模式时,寄存器值和器件控制会发生什么变化?

    寄存器空间在两种模式下保持不变。主机模式由寄存器位决定。如果器件保持打开,那么寄存器值保留。但是,模式控制会对部件的行为进行管理。以下举例说明:

    例一:可将器件设置为从 OCD 独立模式自动恢复。部件以独立模式工作,连接主机。器件经过 OCD 后关闭 FET。主机发现 XALERT 并将器件更改为主机模式。由于主机模式的故障恢复需要处理器执行,因此故障状态保持不变,直到消除故障,而主机则可切换 LTCLR 位。如果主机不切换该位,且随后再将器件设置回独立模式,则故障会从独立模式恢复机制中消除。

    例二:连接主机,但器件以独立模式工作。主机可设置 VAEN 和 IAEN 位来启用监控输出。监控输出不会进入活动状态,因为这在独立模式下不可用。随后主机将 'PL900 切换为主机模式,而且输出进入活动状态。当主机将 'PL900 设回独立模式时,输出会再次不活跃,因为监控输出在主机模式下不活跃。控制寄存器位不清空。

    例三:主机让 'PL900 以主机模式进行工作。系统电压过低。主机模式下,器件保持打开并等待欠压情况得到恢复且 LTCLR 位改变。如果电池电压不恢复到 UV+ UVH 以上的水平,那么不会施加电池组电压,并且主机将 'PL900 设置为独立模式,而且 'PL900 会在 UV 条件下关闭。

    例四:主机让 'PL900 以主机模式工作且平衡电池。主机更改为独立模式,但不改变平衡控制位。在独立模式下,平衡由内部算法控制。如果未设置条件,那么平衡电流会停止,但仍可设置平衡控制位或平衡控制位仍活跃。主机随后将 'PL900 设回主机模式,平衡电流重启。

     

    我是否能使用 bq77PL900 实施多个温度阈值?

    我是否能使用 bq77PL900 实施多个温度阈值?

    bq77PL900 保护器具有统一的温度输入与阈值。从外部热敏电阻获得的电压可用于为 TIN 引脚提供输入,与固定阈值进行比较。

    在简单的设计中,可使用接到 TOUT 的串联电阻跨热敏电阻生成电压。选择 TOUT 串联电阻到所需温度,就可以提供跨接在热敏电阻的 TIN 上的阈值电压。

    外部信号处理能够提供额外的系统功能。例如,如果远程安装了热敏电阻,有可能损坏或者被拔出,使用低电压比较器就会感测到超出范围的电压。将 TIN 引脚短接为低电平就可以防止充电或者放电。

    如果系统能够提供一个可提示工作模式的信号,那么该信号可用于为 TIN 信号提供额外的调整处理。例如,如果有充电信号存在,那么该信号可用于将电阻切换到与热敏电阻并联,从而减少并联电阻,降低温度跳变点。

    对于更加复杂的系统而言,可以使用具备 ADC 的微控制器以主机模式运行 bq77PL900。在本例中用作 AFE的情况下,可将 bq77PL900 的统一温度跳变点设置为最高温度。主机能够监控相同或不同的温度传感器,并能在 bq77PL900 中的安全系统之前关闭 FET,从而实现更加复杂的保护方案。比如,微控制器可以判断是否有电流充放电、以及充放电的幅度,然后调整温度阈值。此外,微控制器中还可以包含用于温度阈值的校准例程,轻松完成来自多个温度传感器的输入合并。

     

    bq77PL900 Uv UVH 的限值与测试

     

    产品说明书 SLUS844B 中表 12 之前的段落内容如下:

     "如果欠压阈值与滞后值设置较高,欠压恢复可能不会发生。为避免这种情况,可在配置中使用表 12 提供的数据进行辅助。"

    这是什么意思呢?我该怎么测试才能理解其行为?

    虽然产品说明书编者的确切目的不得而知,但可以考虑将 UV 阈值设置为其最大值 2.9V、UVH 设置为其最大值1.2V,OV阈值设置为4.15V的情况。bq77PL900对UV阈值的最大容差刚好为 +100mV。当电池电压达到 UV 时,放电 FET 关闭,充电 FET 保持开启。电池组随即充电。UV 的恢复点为2.9+1.2+0.1=4.2V。但在达到 4.15V 时,如果不具备其他机制,电池组将达到 0V 阈值,而且充电 FET 将关闭。这样电池组将处于充电和放电 FET 均关闭的情况下,即便是采用完美均衡的电池,也无法确认其处于何种状态。为避免这种情况的发生,该器件拥有 3.3V 的上限或平坦电压,如表 12 中所示的 UV + UVH 组合恢复。即使设置将恢复电压置于3.3V 以上,该器件也会在 3.3V 时从 UV 恢复。该限值可避免器件在正常情况下同时处于 OV 和 UV 状态,但在电池严重不平衡时,仍然有可能发生这种情况。

    为快速测试该器件的欠压恢复行为,用户可将电路板通过电阻范围介于 10 欧姆与 1000 欧姆之间的电阻器与仿真电池电压连接,并且可根据需要,与一部或者多部可调电源相连。

    当一个或者多个电池电压降至欠压阈值之下时,使用测试点和/或状态寄存器应该能够观察到 DSG FET 是否关闭。随着电压上升,当所有电池电压超过 UV + UVH 水平时,放电 FET 应恢复。采用不同的 UV 和 UVH 设置,用户应能观察到即便设置的电压之和高于 3.3V,恢复电压也不会超过容差范围内的 3.3V。应切记 UV 具有可编程延迟功能,在进行更快速的测试时,应采用 ZEDE功能将其禁用。

    虽然这种方法为帮助理解和观察表 12 中描述的最大限值提供了一种快速测试的方法,但用户仍然应该进行设计验证和量产测试,以确保系统功能符合要求。

     

    我是否能使用 bq77PL900 实施多个温度阈值?

    bq77PL900 保护器具有统一的温度输入与阈值。从外部热敏电阻获得的电压可用于为 TIN 引脚提供输入,与固定阈值进行比较。

    在简单的设计中,可使用接到 TOUT 的串联电阻跨热敏电阻生成电压。选择 TOUT 串联电阻到所需温度,就可以提供跨接在热敏电阻的 TIN 上的阈值电压。

    外部信号处理能够提供额外的系统功能。例如,如果远程安装了热敏电阻,有可能损坏或者被拔出,使用低电压比较器就会感测到超出范围的电压。将 TIN 引脚短接为低电平就可以防止充电或者放电。

    如果系统能够提供一个可提示工作模式的信号,那么该信号可用于为 TIN 信号提供额外的调整处理。例如,如果有充电信号存在,那么该信号可用于将电阻切换到与热敏电阻并联,从而减少并联电阻,降低温度跳变点。

    对于更加复杂的系统而言,可以使用具备 ADC 的微控制器以主机模式运行 bq77PL900。在本例中用作 AFE的情况下,可将 bq77PL900 的统一温度跳变点设置为最高温度。主机能够监控相同或不同的温度传感器,并能在 bq77PL900 中的安全系统之前关闭 FET,从而实现更加复杂的保护方案。比如,微控制器可以判断是否有电流充放电、以及充放电的幅度,然后调整温度阈值。此外,微控制器中还可以包含用于温度阈值的校准例程,轻松完成来自多个温度传感器的输入合并。

     

    FAQ - bq77PL900 FET 驱动信息

     

    Bq77PL900 内部包含的 FET 驱动电路针对的应用是什么?我还需要哪些额外信息才能与我的 FET 接口相连?

    要驱动中等功率的 FET 的栅极,FET 驱动器需要通过额定 5K 的外部电阻和通常为 1M 欧姆的栅源电阻。可以在开关 FET 的栅源之间添加一个小电容,或者加上一个或者多个齐纳以对瞬态下的电压进行限制。电路拓扑见产品说明书的功能方框图。产品说明书中提供的规范显示了使用 1M 负载时的电压水平以及使用 20nF 负载时的转换时间。

     请参阅最新的产品说明书,了解该器件的最新信息。

    BAT 引脚和 PACK 引脚用作相关放电或充电 FET 的电源引脚和源极电源感应引脚。输出分别为 DSG 和CHG。

    在电源引脚与相关 FET 驱动输出之间有 1M 欧姆的额定电阻,这样就可在器件关断时关闭 FET。在 FET 驱动器输出到电源引脚之间接有防寄生二极管。该二极管可将峰值电流为限制 200mA,持续电流为 50mA。

    当器件开启后,根据产品说明书中显示的上升和下降时间特征,FETOFF 和 FETON 状态下的输出驱动各有差异。当在 FETON 状态下输出时,输出电流流经内部 1K 欧姆电阻。必须限制输出电流以保护输出不受损。电流应限制在 11.4mA 峰值,6mA RMS 和 2.2mA DC。当在 FETOFF 状态下输出时,输出电平钳位到电源引脚,且输出电流不通过 1K 内部电阻。