bq76925 EVM 评估 GUI 电流跳变
自下而上的电池数量
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bq77908 引脚
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bq77910 引脚
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10
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无
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VC1
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4
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VC5
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VC7
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1
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VC8
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VC10
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- 对于系统中典型的多端接电池组而言,应将 CHGST 作为 DC 信号提供;
- 对于没有 DC 信号的电路实施方案而言,应提供 CHGST 直到 FET 关闭;
- 对于电路板测试或其他电路而言,用 200ms 脉冲启动,并根据情况优化脉冲持续时间。切记,CHGST 在编程时应保持为高。
bq77908/bq77910 通信:我能否使用 EV2300?
Q1:我能使用 V2300 与 bq77908 或 bq77910 进行通信吗?
A:不能。部件的 BQ77908-10-GUI-SW GUI 软件不支持 EV2300。其他电量监测计或保护器器件的评估软件也不会支持相关器件的寄存器设置或比特位定义。如果要采用 EV2300 编程环境,可能需要编写代码。使用 EVM 时,无论 EVM 还是 EV2300 都不能上拉通信线路,所以必须外部提供。
Q2:GUI 软件使用何种 TI 接口?
A:USB-TO-GPIO EVM 由 BQ77908-10-GUI-SW 提供支持。如欲了解设置信息,敬请参见 EVM 用户指南:www.ti.com/.../sluu368。
bq77908/bq77910 电流感应。为什么跟我预期的跳变不一样?
Q:为什么 bq77908 或 bq77910 电流感应水平和延迟与我的设置不匹配?
A:bq77908/bq77910 用 SENSE+/- 引脚电压对应电流,可连接至检测电阻器,可通过滤波器网络连接。描述中的阈值可以是电流或电压。如果电流跳变水平与期望的不同,则应检查以下事项:
检查器件设置,确保获得所需的编程值。使用 BQ77908-10-GUI-SW 读取 EEPROM 或将EEPROM 拷贝至易失性寄存器,以检查部件的值。
确保所有电流在检测电阻器中流动。仔细检查,确保没有意外的电流路径穿过测试设备,因为这可能导致检测电阻器旁路。
确保电路板上检测电阻器的值是所预期的。
确保设计方案具备与检测电阻器的 Kelvin 连接。如果电路板的检测连接脱离高电流路径上的电阻器,则器件接收的电压上应包括额外的线迹电阻,并可减少部件跳变的电流。德州仪器 (TI) EVM 的 R50 采用 Kelvin 连接,在变为单检测电阻器时应使用该电阻。此外,检测电阻器焊接也应有电阻。一个四端检测电阻器可从高电流路径到不同焊点进行检测,不过一般的保护器应用无需考虑此问题。
可根据产品说明书规范考虑预期情况。
如果您在进行环境评估,确保不对器件状态进行轮询。与器件的通信需要设置 ZEDE 信号,这会产生最少的响应延迟,并清除时间延迟的噪声过滤。部件可能会执行早期保护,而且在轮询与电流脉冲不同步的情况下可能会表现出出错。此外,即使没有延迟过滤,它也会响应于超短的电流或噪声峰值。
参见图 1 到图 3,了解以下项目。就这些图例而言,部件的 OCDT = 225,SCDT = 300 mV 1651.bq77910-current-sense-FAQ-figures.pdf
检查电流是否发生变化。电流在检测延迟时间内必须高于阈值。在图 1 中,电流是矩形常量脉冲。当电流低于阈值时,保护不触发。当电流高于阈值时,延迟时间设置 DSP 为低且 PACK- 升到 PACK+ 水平后,部件开始保护。
在图 2 中,电流随脉冲的变化而存在差异。尽管平均电压可能高于阈值,但低于阈值的偏离将终止延迟,而且器件不会跳变。在电流持续高于阈值的情况下,OC 保护跳变。
如果负载电压非常活跃,请注意 SC 阈值可能在电流仍高于 OC 阈值时就会达到。这种情况如图 3 所示。请注意,图 2 和图 3 显示了缓慢反复变化的电流,实际系统的电流变化可能要短得多。
检测电阻器和器件 SENSE+/- 引脚之间的过滤网络可减少器件检查差异。TI EVM 使用滤波器。应注意,滤波器会对器件引脚电压产生延迟,这将随电流脉冲强度而有差异。电流大幅高于阈值,则延迟短于电流仅略高于阈值。图 4 通过对应于通用滤波器响应曲线的两个范例阈值显示了变量。延迟在较短 SCD 延迟设置下通常最明显。
bq77908/bq77910 独立充电温度阈值
Q:我在充电过程中能否设置较低的过温阈值?
A:无论是 bq77908 还是 bq77910 均采用统一的固定过温阈值。如欲了解可让充电器共享热敏电阻的特性,敬请参阅产品说明书。
如果充电器可向电池组提供“存有充电器 (present)”信号,而该电池组通常用于向部件的 CHGST 引脚提供信号,那么同样的信号也可用于控制 FET,切换与热敏电阻并联的电阻。并联电阻使表观热敏电阻降低,这会导致在较低温度情况下达到过温阈值。选择具有适当阈值电压的 FET,并为 FET 栅极提供全面的额外保护。已知达到过温阈值的热敏电阻,采用处于所需较低温度的热敏电阻来计算可达到这一电阻值的并联电阻,并选择相应的电阻。