Hi
最近仿真了一个用PMOS作的负载开关电路,发现当G和S之间的缓启电容容值小的时候(C1=1nF,Id电流会很大 达到6.42A max. 当C1调到1uF的时候, Id最大峰值只有几百mA。
不知道是什么原因导致的,觉得有点不合理。希望有专家帮忙解答一下
下面是仿真电路和结果图
上面这个是C1=1nF 仿真结果
上面这个是C1=1uF 仿真结果
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最近仿真了一个用PMOS作的负载开关电路,发现当G和S之间的缓启电容容值小的时候(C1=1nF,Id电流会很大 达到6.42A max. 当C1调到1uF的时候, Id最大峰值只有几百mA。
不知道是什么原因导致的,觉得有点不合理。希望有专家帮忙解答一下
下面是仿真电路和结果图
上面这个是C1=1nF 仿真结果
上面这个是C1=1uF 仿真结果