故障样品客户反馈现象
一、客户反馈现象如下:
2.客户生产一批产品317pcs，报性能故障总共5台机器，其中1台是常温上电就报性能故障，另外4台做完50度2小时带载老化后，从高温箱里拿出来后，再次上电能故障。
我司拆解分析是TLV2172发生故障，换上OK件TLV2172后，故障解除，功能恢复正常。
二、测试分析
我司委托检测机构开片分析客诉品上的TLV2172。
通过超声波和X-RAY分析，发现3pcs客诉品都存在以下现象:
1.内层存在不明印记
2. Bottom X-ray发现分层
图1 是ok件，图2，图3是坏片（客诉品）
3.开片后发现筋线有腐蚀和灼烧的痕迹
4.所有开片客诉品都来自于同一批次
请协助分析导致以上结果原因，客户正在等结果，已导致延迟交货，请尽快回复。
dear Luo：
以下是我们2172应用的外部电路图。
另外我根据你们提供的建议，并做了ESD试验。
发现与你们认为的可能性不符。我们同时做了3个ESD试验，4KV，6KV ,8KV，验证对芯片造成了损伤，但是开片结果和我们之前产品上损伤现象完全不一样。ESD造成的位置是随机的，但是损伤的现象是一致的，下图是其中一片ESD开片图。
根据开片损伤现象，我们基本上可以排除是ESD造成的损伤
另外我们也做了3片EOS试验，对芯片VCC供电40-60V做了冲击耐压试验，发现也与你们认为可能性损坏现象不一致，其中一片开片图如下
根据开片损伤现象，我们基本上可以排除是EOS过压造成的损伤，过流损伤是否也和过流损伤是一致的？
另外是否可能是闩锁效应造成的。
请尽快回复我。
已给出反馈：
“
我见过很多次在断电时放电电容造成的损坏。假设电源电压的下降速度比电容需要放电的速度快，那么电容上的电流就会流入运算放大器的输入端：
这种情况有许多解决方法：
1、保持电容足够小，使电阻分压器和电容形成的时间常数低于电源电压下降所需的时间
2、插入一个几千欧的限流电阻器（红色）
3、安装一个电源去耦电容，该电容比输入端的电容高出几个数量级，并允许“自然”断电（对信号地不短路或其他急剧断电）。如果无法避免突然断电，则在大去耦电容前插入一个放电限流电阻器。
一个2n7电容不应该能够存储足够的能量来损坏运放的输入，话虽如此，但谁知道...
另一个导致运放异常损坏的原因是振荡。我见过很多运放因为振荡而损坏。我问自己你们的电路是否有稳定性问题。好吧，我不想看到反馈电阻100R，特别是10k，加上运算放大器的输入电容，它们提供了一个相位滞后，侵蚀了相位裕度。振荡的最基础...
所以，最后，我认为整个电路应该经过仔细的修改
”
同时也给出了特别有用的视频和文章：
精密实验室运算放大器稳定性介绍：training.ti.com/ti-precision-labs-op-amps-stability-introduction
关于稳定性的博客文章：e2e.ti.com/.../taming-oscillations-the-capacitive-load-problem
在博客文章中所附的PPT是一个非常详细的描述，介绍了如何查看客户的电路是否遇到稳定性问题/如何通过TINA-TI解决这些问题。最后建议对每个单独的运算放大器进行稳定性测试。
Dear Luo:
关于第一个原因，我们在客户现场确认过，电源电压的下降速度实际比电容需要放电的速度慢，而且2.7n电容，5V电压冲击，放电冲击是非常小，按照我们对运放理解，这么小的冲击不应该对运放产生影响，所以我们认为这一条可以排除。
第二个原因，我们会做实验后，得到验证是否是造成问题品损伤原因之一。
另外上次的问题，这个损伤点是哪个管脚间的，因为您之前的回复是随机的，但是事实上3个问题品开片发现都是这个位置发生损伤，且损伤现象是一致的，这显然不是随机发生的，所以需要你们协助回答
美国工程师的反馈：
输出端连着感应线圈？这就解释了一切！
添加这两个肖特基二极管，如下所示：
BAT54S 应该可以起到作用，或者使用一个稍微强一点的。
如果LDO不能吸收回流电流，在运放的电源线上加一个串联二极管，不要忘了在上面的示意图顶部安装TVS 。
我们做了以下测试。
1.对pin7做了高压测试，ZCT2脚接+DC10V，1脚接地，芯片没有损伤，TVS是SMB10J，钳位电压是10V，15V时候芯片损坏。
2.在L线通不平衡电流（脉动直流）1500A（持续通流和冲击），二次侧最大峰值电压是5.5V，所以目前看应该不会到损坏芯片的等级
3.根据美国工程师画的图，他的意思是pin7对VCC和GND之间加上肖特基？
