感谢您的回答，有两点我想再确认下。
1.我使用了THS4551产品页面上提供的TINA-TI仿真模型文件（THS4551 TINA-TI Spice Model (Rev. C)），按实际电路做了些修改后进行了仿真测试。结果如下图所示。THS4551使用5V单电源供电，输入信号是一个正弦波（振幅=2.5V，直流偏置=2.5V，频率=1k）及2.5V直流信号。测量输出信号VF1及VF2共模电压约为1.67V左右，并未得到您所说的2.16V。您是否能帮忙分析一下得出不同结果的原因。或者如果可能的话是否能提供您的仿真文件。
2.关于内部MOS的导通电阻，有没有一个参考数值。或者说大致是在什么数量级（几Ω？几十Ω？）。
谢谢。
1、我看到咱俩使用的运放模型不一样，我使用的是在TI官网产品首页--设计与开发--设计工具和仿真 处下载的仿真模型，如下仿真电路
TINA-TI_Basic gain of 1 test circuit Figure61_THS4551-1.TSC
2、通过手册给出的VCOM的输入阻抗150kΩ，可以推出其内部MOS的导通电阻是很小的，因为两个300kΩ并联正好是150kΩ.如果您需要其具体导通阻值，我需要找一下这个参数，看有没有文件提供这个参数。
