Other Parts Discussed in Thread: INA849
芯片ina332咨询，测试0~500Vdc，输入阻抗要求1Gohm， 前端输入衰减比设计为125，即输入信号1G ohm(4个250M 欧姆串联)与8.2M ohm分压到4.0V进入运放ina332，这样设计可否，信号检测会不会浮动变化？这样测试准确度可否达到0.2% ？
您好，
分压电阻太大了，分压电阻太大会引入噪声，我建议最大用几百K的电阻进行分压。
这样测试准确度可否达到0.2% ？
达不到0.2%，放大器误差源有很多，仅输入失调电压最大8mV，8mV/4V=0.2%，就已经0.2%了，然后还有PSRR、CMRR、输入失调电流、电压噪声、电流噪声、增益误差和非线性等引入的误差。
信号源输出阻抗很高关系还不是太大，因为 INA332输入阻抗更高，典型值10^13Ω。
根据经验使用大的分压电阻会耦合电磁干扰，特别是工频干扰。我是这样理解的，交流信号电生磁、磁生电，那么干扰产生小的电流信号在大的电阻上就会产生较大的电压，这个电压就对测量电路引入了误差。
还有一个点需要考虑，就是运放的输入偏置电流。当分压电阻比较大时，运放的这个输入电流就会占较大的比重，那么会导致分压值降低，影响测量电压的精准度。如下分析示意图，IC就是运放是输入偏置电流，VC就是需要采集的电压。可以看出R1越大，因为R1*IC的乘积越大，需要采集的电压VC计算出来的就越小，那么测量误差就越大。
如果你是使用10MΩ和1GΩ分压的话，运放INA849的输入偏置电流最大20nA，在R1=10MΩ产生的压降是0.2V，因为分压衰减100倍，那VC误差是2mV，对200V电压来看，误差是0.1%
