客户对芯片的EMIRR IN+这一参数比较关注，我们想在实验室中测试一下，因此关于测试方法有一些疑问：
在我们的理解中，测试方法可以简单概括为：将芯片连接成单位负反馈的形式，输入信号给一个AC和DC信号的叠加（这里DC信号为0），在输出端测量DC电压。然后在AC信号为不同频率时，计算出该频率下的EMIRR值，最后在坐标系上描点画出曲线。
问题1：公式中的ΔVOS指的是谁呢？
第一种看法是，芯片是存在固有的Offset的。在不接AC信号时，输出端测得一个VOS1=VOUT1-VIN+；在接上AC信号后，测得一个VOS2=VOUT2-VIN+(DC)，然后ΔVOS=VOS2-VOS1。
第二种看法是，ΔVOS就是上一条的VOS2，ΔVOS=VOS2=VOUT2-VIN+(DC)。
问题2：公式中的100mVp是指什么，100mV的电压值吗？它从何而来？如果输入的AC信号的峰峰值是50mV，在代入公式进行计算时，这一位置仍然是100m吗？
问题3：测试连接图中的低通滤波器是指芯片中固有的，还是另外添加的？它是怎样的结构？截止频率应当是多少？如果是额外添加的，它实际上会更加改善最终的EMIRR结果，为什么额外添加而不是仅测试芯片本身的性能？
问题4：最终的EMIRR曲线是描点描出来的吗？在1MHz AC信号输入时用数字万用表测一次Offset，在2M时测一次，3M时测一次……一直到在6G时测一次Offset，将所有Offset代入公式求出每个频率的EMIRR，最后作图得到曲线吗？这样的话即使使用自动化测试，测试流程也会非常繁琐耗时。
