过流保护采样Vds时,我们没有办法保证像采Rsense那样准确,因为MOS本身内阻的变化范围比较大,同时layout时采样线包围的寄生阻抗和感抗都非常大,所有没有必要纠结OCP的实际值和理论计算不一样,因为我们理论计算的忽略因数太多了,这也是手册不给出OCP点电流计算值的公式的原因,因为实际上没有这样一个公式。手册给出的OCP电压值是内部实际用的比较电压,这个是一个很好的参考,实际使用中保证通过调节这个电压,可以正确的区分正常工作和过流保护的情形就可以了。当然,如果板子的设计,电流噪声很大,这个值就会要设计的很高,甚至有可能起不到真正的电流保护作用,这时候就需要仔细审查layout重新设计硬件了。
我们有很多个板子都是基于DRV8301的,EVM, reference design 还有 boostpack , 官方的layout设计很值得参考
你好!我想请教一个问题,我的板出现nFAULT 一直为低电平,nOCTW为高电平,PWRGD为高电平的情况,测量电压AVDD=6.64V DVDD=3.34V GVDD=11.27V ,nOCTW为高表明过流,请教一下是什么原因?另外,我用的IRF260 QG(MAX)=230,230*6*21K=30 意思是不是说只能在20K范围以下工作?