在一款无刷直流电机的控制工程中采用DRV8303，DRV8303的外围电路采用数据手册中的经典配置，使用MCU对其进行控制，分为ABC三相。
在AH上输入PWM方波，BL上输入高电平。输出结果是DRV8303的输出A_GH,B_GH,C_GH均为高电平，此处的高电平并不是完全的高电平，是与PWM控制频率同频的接近PVDD的高电平，而A_GL,B_GL,C_GL均为低电平。
在调试过程中并未通过SPI对内部寄存器访问，采用的是默认的寄存器值。
请给出INH_x 和INL_x的设定值。
真值表默认下遵循page 13 table 1。
您好，谢谢您在百忙之中抽时间回复我的问题，如您在回复中提到的page13 的table1 显示的是6路PWM模式，这种模式中在INH_X与INL_X出现同为高点电平时会出现异常，本次测试中未出现此类情况。下面我将具体描述一下我的问题，烦请指导。
DRV8303的INH_A与INH_C均接地，INH_B接PWM方波；INL_A与INL_B均接地，INL_C接高电平。在输出的地方测得，GH_A,GH_B,GH_C均为高电平（同PVDD），而GL_A,GL_B,GL_C均为低电平。这种情况是为什么呢？这样会不会使电极锁死呢？
下面附上本次测试的电路原理图。
这一输出现象并不符合spec真值表，能否提供异常发生时一段时间区间内对应相的输入/输出波形图？
另外，可以通过测量各个电源端、输出和GND之间是否有短路现象来快速排除问题。
背景描述：MCU通过DRV8303驱动三相桥进而驱动无刷直流电机，本实验未连接无刷直流电机，故电路模型简化为MCU=>DRV8303=>A/B/C三相MOS桥臂，电源电压采用48V。
问题描述：MCU通过设置输出A相高边为PWM波形，其他路均为低电平，通过实验观察发现MCU的输出为波形3，高边MOS的门级为波形1，MOS无法正常打开。
