1. 在下面的应用电路中，当 PGND节点与 GND_DIG_LV 节点之间出现电压差5V，并且该电压差的脉宽时间约为100ms，此时，该100ms脉宽的电压差是否会造成 Ti芯片内部EOS失效？
2. 如果该100ms脉宽
的5V电压差会导致Ti芯片失效，那么请Ti建议，该压差至少小于多少伏或者脉宽至少低于多少ms，才不会对Ti芯片造成影响
1. 在下面的应用电路中，当 PGND节点与 GND_DIG_LV 节点之间出现电压差5V，并且该电压差的脉宽时间约为100ms，此时，该100ms脉宽的电压差是否会造成 Ti芯片内部EOS失效？
2. 如果该100ms脉宽的5V电压差会导致Ti芯片失效，那么请Ti建议，该压差至少小于多少伏或者脉宽至少低于多少ms，才不会对Ti芯片造成影响
