DRV8305手册中在描述TDRIVE章节中防上下管同时打开的握手机制与死区时间的配置

Other Parts Discussed in Thread: DRV8305

近期在阅读电机驱动DRV8305手册时,有点疑问:

The internal handshaking uses the VGS monitors of the DRV8305 to determine when one MOSFET has been disabled and the other can be enabled. This allows the
gate driver to insert an optimized dead time into the system without the risk of cross conduction.

手册中描述驱动内部有握手机制,通过VGS MONITOR,确保上下桥两个管子中只有一个disable了,另外一个才能enable,既然已经硬件实现了,那时不是意味着不需要再额外添加死区时间了,但手册中似乎也不是这个意思?

  • 近期在阅读电机驱动DRV8305手册时,有点疑问:

    The internal handshaking uses the VGS monitors of the DRV8305 to determine when one MOSFET has been disabled and the other can be enabled. This allows the
    gate driver to insert an optimized dead time into the system without the risk of cross conduction.

    手册中描述驱动内部有握手机制,通过VGS MONITOR,确保上下桥两个管子中只有一个disable了,另外一个才能enable,既然已经硬件实现了,那时不是意味着不需要再额外添加死区时间了,但手册中似乎也不是这个意思?

  • 包括DRV8305在内的TI smart gate driver系列产品,内置VGS Monitor,可以判断外部MOSFET的实时开/关状态,因此可以实现握手式的闭环死区控制,即使控制算法中不单独设置死区时间,Smart Gate Driver也会动态插入死区,保证不出现上下管同时导通短路的错误。使用Smart Gate Driver可以不再单独设定死区时间。但客户考虑系统可靠性,也可以仍然保留设定最小死区时间,二者并行,互不影响。