从DRV8350S Block中 VCP charge pump 跟 Gate driver 只有 VCP接在一起
SHX只有跟Gate driver 接在一起没有跟VCP charge pump 接在一起
这样如何在上臂导通时GHX电压会拉高保持导通状态
将VCP或VSHx应用于门（或VGHx）。VCP始终高于VDRAIN，因为charge pump以VDRAIN为参考，并且在VDRAIN顶部堆叠+ 7V或+ 10V。这意味着VGS-Vth> VDS（假设Vth <+ 7V或+ 10V），因此高端MOSFET保持导通，电流流过。因此，INHx引脚将VCP施加到GHx电压以保持FET导通。
将VSHx连接至gate 意味着VGS = 0V，因此，由于VGS <Vth，MOSFET处于off状态。
因此，我猜测您真正的问题是，当V_SHx> V_DRAIN时，试图将V_G电压保持在较高水平。不幸的是，我们没有很多可以做的。此外，我认为这是一种故障情况，需要通过制动或关断gate来控制能量，直到电流停止流过外部FET体二极管并且V_SHx电压等于VDRAIN为止。
如果可以，请您尽量详细描述下您遇到的问题，尤其是您提及的“上臂”。
Hi annie
我不清楚的地方是整个GATE DRIVER 是如何动作
麻烦你看一下,我这样说明对吗
(请看下图MOS的编号)
当INHX 是L , INHL 是 H
Gate driver 内部的NO3 MOS是OFF ,NO4 MOS 是ON
NO4 MOS ON 会让NO1 MOS的 G 跟S 是同样的电位 , 所以NO1 MOS会OFF
comparators 两端电压一样 , digital control 送出L 给charge pump control
charge pump control开始充电
charge pump 内部的NO5 MOS是OFF , NO6 MOS是ON
这会让charge pump 对47nF充电 , 47nF两端的电压是VDRAIN
所以会造成NO1 MOS会是OFF , NO2 MOS会是ON
当INHX 是H , INHL 是 L
Gate driver 内部的NO3 MOS会变成ON , NO4 MOS会变成OFF
此时应该是charge pump 要放电让NO3 MOS G 的电压是VDRAIN +VM
NO3 MOS S的电压是VDRAIN ，这样才会让NO1 MOS变成ON 时不会因为
D跟S 的电压都是同样的电压 (VDRAIN ) 而变成OFF
但从电路看不出来会有这样的情况發生
看起来Gate driver 内部的NO3 MOS会变成ON , NO4 MOS会变成OFF后
因NO3 MOS 是ON 使得 VDRAIN 对1UF充电 , 因为NO3 MOS跟1UF电容是串联
所以NO3 MOS 的D 是 0V , NO1 会是OFF , 这就让我想不出来放电时候的动作
实际上，VCP和电荷泵电路不依赖于INx信号。
您可以尝试通过电荷泵的工作是在VCP上维持7V或10V + VDRAIN的逻辑再次进行逻辑化。这意味着电荷泵不是同步的，NO5和NO6的开关独立于INx，并且NO6比NO5的“on”更多，因为当NO5处于“on”状态时，此电荷泵配置将尝试施加2 * VDRAIN。
然后，您可以再次尝试通过之前描述的PWM条件进行推理。本质上，我们希望在这种情况下VCP开始下降，这意味着NO5和NO6会切换以继续提供开启FET所需的电压。
Hi annie
问题一
你说的电荷泵电路不依赖于INx信号,NO5和NO6的开关独立于INx
如果是这样会遇到NO5和NO6正在充电 ,但NO1需要ON
结果电压不够让NO1变成ON因为充电的电压还不够让NO1变成ON
问题二
请问一下为何电荷泵的工作是在VCP上维持7V或10V + VDRAIN
是因为你假设Vm 是7V或10V 吗?
问题三
依照你说的电荷泵配置将尝试施加2 * VDRAIN ,
这样当NO3 处于ON状态时会让NO1也处于ON状态时
NO1 D 会是 VDRAIN ，G会是2 * VDRAIN ,S会是VDRAIN
如果VARAIN 是50V , NO1 的VGS 会是50V , 一般MOS VGS都是20V
所以NO1会烧毁 , 所以电荷泵不会施加2 * VDRAIN
