请教大家一个问题
上图为IDDK开发套件顶层原理图,该驱动开发套件提供了一些电路结构的选择。
其中,Hot GND为功率地,Cold GND为控制地,开发套件提供了两种地的不同连接方式。
开发套件默认的连接方式是正板的各种地连接在一起,电路板只有一个地
我想请问大家,在什么情况下,可以不区分功率地和控制地,
在什么情况下,需要区分控制地和功率地呢?
您好 感谢帮助
AGND和DGND最终连接在一起可以理解 PGND也要和它们连接嘛
功率部分,对于电机三相电流及母线电流检测采用LEM的闭环霍尔电流传感器或者磁通门传感器,利用霍尔效应,实现了电流检测隔离;
对于电机三相端电压及母线电压,在功率部分分压后经隔离放大器AMC1311隔离;
对于集成驱动IC如DRV8301、8323、8353的控制信号使用ISO77XX系列隔离芯片进行隔离
经过以上处理,功率地被分离为独立的GND,这样做会有问题嘛?
Hi
我这边经验上是电源的,一般大电流流过的功率回路的GND为PGND,信号或者影响稳定之类的用模拟AGND, PGND和AGND 在芯片底部连接在一起的。