关于mos开关管的选取

你的输入信号是个数字量还是模拟量？就是说，只有3V和0两个电平，还是从0到3V连续变化？

如果是数字量，那可以考虑用一个NMOS实现。如果是模拟量，可能前面加个比较器会更稳妥一点。另外，MOS管都会有一定的输入电容，前级在驱动这样的电容时，如果驱动能力不够，就会在MOS的输出出现明显的上升和下降曲线，需要注意一下。

TI的CSD系列NMOS管可在如下链接找到

http://www.ti.com/lsds/ti/power-management/n-channel-mosfet-transistor-products.page

谢谢。。。他的输入电压时连续变化的  但是我想的是检测到电压小于3v就给关断  大于3v就给开启 就这样

最直接的想法是用比较器加NMOS实现。首先输入电压和3V基准在比较器里做比较，如果输入大于3V，则比较器输出高态，同时将后级NMOS打开；如果比较器输出低态，则后级NMOS关断。

由于单片NMOS都有不小的输入电容，所以需要比较器有一定的驱动能力，可以考虑用一个带宽还算大一点的运放做比较器，同时具备比较和驱动的功能。3V的基准可以从3.3V或者5V的电源上分下来（如果对精度要求不是那么高）。你的信号速度是多少？系统的供电是多少？

您好！我是 打算从单片机的引脚输出PWM波，去驱动NMOS管。我就想问一下，要注意什么？关于驱动能力，还有要不要加光电隔离？具体的mos管的型号，还有一般上拉电阻阻值是多少？

需要注意一下MCU的驱动能力主要是source电流是否足够能够开启MOS

为什么说要加光耦隔离？MOS的S如果没有浮地一般都不需要

MOS如果只是做信号处理用，一般不太关注其通流能力，如果要做功率电路，需要注意Ids的平均值和峰值

不客气，有问题欢迎继续交流

在对mos 管驱动，需要注意：

1.mos管是电压控制器件，如果用作开关管需要考虑控制电平、频率，如果频率高的话，需要考虑下米勒效应（栅极对地串个电阻，或GD间串个二极管）；

2.漏极电阻值可以稍微取大点，减少功耗；

3.如果MOS管驱动的负载是感性的，需要考虑对mos管的保护，当然对于这个应用，可以不考虑（工作电压低）。