drv8301驱动csd19502q5b的G极驱动电阻选择

Other Parts Discussed in Thread: CSD19502Q5B, CSD18533Q5A

之前我一直拿8301驱动csd18533q5a(栅极总电荷29nc,导通电阻4.7m,Vgs(th)=1.9V)现在想改成驱动csd19502q5b(48nc,3.4m,2.7V),之前的栅极驱动电阻,就是8301和mos的栅极串的电阻为10欧姆,现在我仍然是10欧姆,但是mos有高频的啸叫,并且PWM出现有缓慢上升的情况(就是PWM不是一下子就上去,而是有一个类似阻尼震荡的上升曲线情况),驱动PWM频率为60Khz,但是驱动csd18533q5a并没有这两个现象。

请问合适的驱动电阻应该怎么计算?TI的工程师能不能给一个合适的驱动电阻的大小?

  • MOS最好选择低电容,低导通电阻的。

    电阻的选择和你的频率有关

     

  • 你好!

    个人认为,门极驱动电阻和MOSFET的Cgs的模型可以看做是一个低通滤波器的等效模型。可以通过电路关系: ((V-U)/RC) * dt = du (其中,V是驱动电压,U是电容两端电压),简单计算出电容两端电压达到阈值大概所需要的时间:

    T= R*C*Ln(V/(V-TH)). 可见csd19502q5b不仅电容更大,阈值也更高,因此达到导通状态的时间也更慢。

    因此,需要减小驱动电阻或者降低驱动频率。


    Axel

  • 你好,这应该是属于米勒效应,极间电容与输入电阻组成的低通滤波电容,导致频率特性降低。你可以参考下面的文章来改善米勒效应带来的影响:

    http://download.21dianyuan.com/download.php?id=83727