我用的MCU是TI的Cortex M3 9B92，我想知道在MCU掉电之后，我怎样做就能够保存之前程序运行时的数据。
是实时数据呢还是其他数据？
如果不是实时数据，需要外扩一个flash或者eeprom之类的存储器件。
如果是实时数据，考虑外扩一个铁电ram，或者考虑换一个带有铁电ram的mcu。掉电后数据不丢失。
我能否用MCU的内部flash来实现呢？是实时数据，掉电后，我要保存程序关闭时运行的状态。
内部的flash可以用来保存数据，模拟成eeprom使用。但是flash的编程-擦除循环寿命约10万次（典型值），如果用来保存实时数据，估计寿命上有问题。所以还是建议使用铁电存储。
不过，LM3S的库函数提供了flash操作的API接口，，使得Flash存储器可以在应用程序的控制下进行擦除、编程等操作。你可以查看一下手册。如果用来做普通的数据存储，代替eeprom还是可以的。
Flash存储器是由一组可独立擦除的1KB区块所构成的。对一个区块进行擦除将使该区块的全部内容复位为1。编程操作是按字（32位）进行的，每个32位的字可以被编程为将当前为1的位变为0。但是，Flash保护机制是按照2KB区块划分的，每个2KB的区块都可被标记为只读或只执行，以提供不同级别的代码保护。
Flash的操作时序是由Flash控制器自动处理的。但是，如此便需要得知系统的时钟速率以便对内部的信号进行精确的计时。为了完成这种计时，必须向Flash控制器提供每微秒钟的时钟周期数。由软件负责通过函数FlashUsecSet( )使Flash控制器保持更新。
执行：Flash内容当作程序代码，由CPU取指令机制自动读出，访问次数无限制；
读取：Flash内容当作固定数表，可以由应用程序读出，访问次数无限制；
擦除：按1KB区块整体地被擦除，该区块的全部位内容变成1，擦除时间约20ms；
编程：对已擦除的Flash内容按32位字的方式进行写操作，能将位1改为0，编程时间约20μs。
Flash控制器以2KB区块为基础向用户提供两种形式的基本保护策略：编程保护、读取保护。具体可以查看一下手册。
