LM3S的FLASH擦写次数我在手册上没有找到,到底能擦写多少次,是十万次的数量级吗。
还有听说C3和C5两个批次的FLASH擦写次数是100次,这两个批次6000系列的是不是没有,在9000以上才有?
你好,你所提到的Flash擦写次数问题只出现在C3版本的部分芯片上,并且TI已有合理的解决方案避免该问题;6000系列暂没有C3版本芯片,楼主可放心使用!
那么FLASH的正常擦写次数是多少呢?因为3S系列的没有EEPROM,我需要用FLASH来实现,FLASH擦写次数是个很重要的指标,但是手册上我没有找到这个的说明。
datasheet上有说明的
请查看
电气特性->flash存储器特性这一节。
最小10000次
通常100000次。
M4是一个比较好的选择!M4内部集成了EEPROM。