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TPA3255: 外围电路构成确认

Part Number: TPA3255

关于TPA3255的外围电路有两个地方想请教一下。

1.下图红圈所示的接于PVDD_AB和PVDD_CD的电解电容,在TPA3255 EVM开发板上使用了4700uf容值的电容。

    TPA3255数据手册上的推荐电路以及EVM开发板的电路中并未看到大电容的放电回路,   

    采用此量级的大电容时是否需要在TPA3255的外围电路中添加电容的放电回路?还是说TPA3255内部已做了相关的放电处理功能?

2.想确认一下下图蓝圈所标注的3.3Ω电阻的作用。

麻烦了,谢谢!

  • 您好,在数据手册10.2.1.2.2 PVDD Capacitor Recommendation的电容推荐中,实际是推荐每个全桥至少使用1000uF电容,datasheet中使用了470uF,这是为了有些客户使用的电源不是那么稳定,所以相当于又加了额外的电容保证电源稳定性,所以EVM板中使用的是4700uF。 我个人建议还是根据实际情况而定,因为每个客户使用 电源不同,所以可以保留这个位置,到时候根据实际测试来具体判断使用4700uF还是470uF。

    3R3电阻和100nF组成了低通滤波器。

  • 谢谢您的回复,关于第一个问题我表述的可能不是很清楚。

    我并不是想确认应该使用多大的电容值,而是想确认我是否需要为这个电容准备放电回路。

    使用大容值的电容时,不准备放电回路的话,在系统停止工作后电容中的储能可能无法及时消耗而造成一些问题(比如简短电容寿命)。

    但我并未在官方的资料上看到关于放电回路的说明,我不清楚TPA3255内部是否已具有相应的放电回路,所以想听取一下意见,谢谢。

  • 您好,TPA3255内部应该是没有放电回路的,如果有的话,在它的系统架构里是能体现出来的,并且在datasheet中也会有描述。

    关于电源去耦电容的选择,可以参考下这篇应用手册:

    https://www.ti.com/lit/an/slyt199/slyt199.pdf