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PCM4104: THD+N很差,当只有CH1给数据的时候-95以上,全部通道给数据,只有-80dB。

Part Number: PCM4104

PCM4104, configured as fs=96kHz, TDM4, left-aligned, encountered a problem when debugging, the noise is normal, THD+N is very poor (the test point is the analog output pin of the chip):

1. When only CH1 and CH2 data are provided, the THD+N of CH1 can reach above -95dB, and that of CH2 can only reach about -80dB;

2. When all 4 channels provide data, the overall THD+N is very poor, about -78dB.

  • 您好,通道之间THD+N很难做到匹配,即使在仔细的 PCB 布局和良好的基准去耦合的情况下,通道之间也始终存在几 dB 的差异,目前您测试下来CH1和CH2确实差异比较大。

    确保良好 THD+N 性能(了解几乎不可能匹配所有四个通道)的最佳方法是为基准去耦电容器使用低 ESR 电容器、并将基准返回环路的面积降至最低。PCM4104EVM 板上使用低 ESR 钽电容器和 X7R 陶瓷电容器。

  • 您好,您是TI技术支持吗?如果是的话,能不能帮我查阅一下,其他的使用者也应该遇到过这个问题才对。

    Vref+和Vref-之间我试过很类型的电容,NG;     1、我的Vref、VCC1、VCC2是同一个5V供电,这个不知道是否有影响 ? 我有尝试过将电源分开供电,也NG;   2、还有一个异常的点,规格书上5V的电流是32mA,我实测我的板子,5V的电流是67mA。

  • 我的Vref、VCC1、VCC2是同一个5V供电,这个不知道是否有影响

    这个没关系,可以接同一个5V供电,

    但是Vref的旁路电容建议采用X7R的陶瓷电容0.01uF,然后推荐再并联一个1µF to 10µF的低ESR的钽电容。

    我看您只是Vref4加了两个去耦电容,其他Vref1,2,3都只是接了一个100nF的电容,建议是0.01uF即10nF。

    建议将每个Vref参考Figure 3的电路,然后再尝试看是否有所改善。

    还有一个异常的点,规格书上5V的电流是32mA,我实测我的板子,5V的电流是67mA。

    32mA是静态电流,在不加负载的前提下流经Vcc的供电电流大小,您是如何测试的?