TI的工程师您好!本人按照贵司的LME49830的参考电路做了一台功放,电源电压+-50V,输出级是2并管,NMOS为飞兆的FQA44N10,PMOS为IR的IRF5210,MOS管驱动电阻为47欧姆,加载4欧姆时可以扫到10%THD+N为210W,在加载2欧姆扫功率曲线时大概扫到80W左右就烧了NMOS,麻烦能帮忙分析一下原因,谢谢!
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你好:
是不是你的NMOS电流不够?换个大点的试过没?
还有发热吗?
4omhs可以正常工作就证明电路正常,芯片正常。
你好:
我们这个芯片没有demo板。这个芯片比较老了,所以我也不太熟悉。
我在想是不是MOS管质量问题,带有一定的偶然因素,80W烧了,210W还没有烧。我觉得MOS管买到有质量问题的机会还是比较大的。
你的电路图对吗?