ADS1299EEGFE-PDK: ADS1299 共模抑制比无法满足手册要求110dB,且工频噪声有200uV.

Part Number: ADS1299EEGFE-PDK
Other Parts Discussed in Thread: ADS1299

最近也在调试ADS1299 这款芯片,(测试环境如下:ADS1299能够正常工作,根据手册和开发板参考设计进行设计,并且启用了BIAS功能。所有通道的差分负输入都连接到了SRB1,SRB1作为统一参考位点连接到右侧耳垂。BIAS输出电极连接到左侧耳垂。PGA增益都为1。正电源为2.5V,负电源为-2.5V。 其余硬件电路按照


ADS1299EEG-FE EEG Front-End Performance Demonstration Kit (Rev. B)

手册进行设计的50-51页 image.pngimage.png

问题1:在测试过程中,仅开启IN1P通道,(其他通道设置为001=输入短路) 配置寄存器将IN1P和SRB1内部短接,测得短接噪声约为5uV, 但当外部短接测试,噪声将达到20uV~100uV左右,同时通道2、3、4、5、6、7、8 测试过程中用手触摸,也会影响测试波形;

问题2:在测试过程中,仅开启IN1P通道(其他通道设置为001=输入短路),工频噪声很大,且共模抑制比仅有85dB,

原理图参考

ADS1299EEG-FE EEG Front-End Performance Demonstration Kit (Rev. B) 

文件进行设计和布局。请协助解决,谢谢,

  • 您好,收到了您的案例,调查需要些时间,感您的耐心等待。

  • 好的,谢谢您了。

  • 当仅使用IN1时,需要把未使用的模拟输入直接接到 AVDD 上。

    数据表中12.1 Layout Guidelines有很多注意事项,有助于减少噪声。

  • 您好,目前布局是按照手册推荐布局进行四层板布局,不同点在于:顶层全部为模拟层,仅电源,INXP,SRB1和BIAS相关信号走线及阻容器件,未进行铺铜处理;第二层是完整的AGND平面; 第三层是电源层,使用AGND属性铜皮填充空白区域;底层是SPI相关走线,使用AGND属性铜皮填充空白区域;附件是顶层布局情况 ,麻烦您给一些建议。

    第二点是:在测试过程中发现,按照

    ADS1299EEG-FE EEG Front-End Performance Demonstration Kit (Rev. B) 

    推荐原理图绘制的,但是在测试过程中发现INXP 前端滤波器件和推荐电路存在差异,原理图电路时INXP滤波电路先经过RC电路(先经过串联电阻,在经过对AGND的电容),发现噪声并不是特别好。但是将电路改成(先经过对AGND的电容,再经过串联电阻),噪声能够降低到很低。为什么会有这么大差别呢?