ADS1212: 写CMR命令寄存器失败，芯片无反应

DM Liu

Part Number: ADS1212

根据datasheet的部分要求，在使用芯片前写CMR数据对其进行参数设置，写入结束后无反应。问题具体体现在如下几方面：

1：设置数据频率10HZ，写入CMR结束后DRDY频率未改变（等待时间足够长且13位抽取比按照公式计算得出）；

2：读取数据失败，设置SDOUT为信号输出，但是在读取过程中仍为高阻态。

附主要波形图。

在使用芯片时对芯片初始化，各主要pin波形示意图以及初始化流程如图1.

图1 主要pin波形示意图以及初始化流程

reset波形如图2.

图2.reset

SCLK主要波形如图3

图3：SCLK主要波形

SDIO波形如图4

图4：SDIO

写CMR结束后DRDY波形如图5

图5DRDY

0 Amy Luo 4 年多前

您好，

1、CMR写入的是什么值？fXIN是多少？是否正确写入CMR您也可以通过基准电压的设置来检验，比如将REFO为写0关闭内部基准电压，看REFOUT是否输出高组态，写1是使能内部基准电压，输出2.5V

2、设置SDOUT为信号输出，但是在读取过程中仍为高阻态。这个可能是没设置进去

Slave模式下，用SCLK复位芯片，用示波器看下SCLK时序是否满足datasheet中FIGURE 27.时序图要求

0 DM Liu 4 年多前回复 Amy Luo

fXIN为2MHZ;REFO默认开启。

CMR数据从MSB---->LSB为：

Byte3 0101 0010 vbias关；refo开；df二进制补码；单极性；高字节到低字节；高位到低位；

Byte2 0000 0000 默认

Byte1 0010 1100 turbo速率为2；数据速率为10HZ

Byte1 0011 0100

SCLK时序如图2所示，SCLK电平分别为 H700us---L20us---H350us---L20us---H700us---L20us---H1100us---LOW

0 Amy Luo 4 年多前回复 DM Liu

如上所述，您可以用万用表或其他测量工具检测REFOUT管脚的电压，以检验是否正确写入CMR；内部基准默认是使能的，您可以写0 关闭它，测量REFOUT是否输出高组态，然后写1使能它，然后测量REFOUT是否输出2.5V。这个写CMR操作正确后，再进行读取转换结果的操作。

Slave 模式下，可通过datasheet 中FIGURE 26流程写寄存器。

+1 Amy Luo 4 年多前回复 DM Liu

另外，用示波器抓波形的话，建议将DRDY CS SCLK SDIO信号都抓在一个屏幕上，这样才能对照着datasheet上时序检查是否正确

0 DM Liu 4 年多前回复 Amy Luo

问题已经解决，关键在于写入CMR时的SCLK脉冲信号，其高低电平延时时间过长（虽然只有几毫秒）。取消延时并采用us延时后问题解决。虽然已经解决，但是具体原理尚不明确。。。

依然感谢您的解答！祝您工作顺利，生活愉快。

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