我们用 ADS127L11这个adc芯片连接霍尔磁场传感器的模拟输出。以前传感器和ADC分开有1.5米距离，没有出现问题。这次设计的时候让ADC和磁场传感器靠在一起。但是发现当磁场升高的时候ADC损坏。磁铁靠近ADC的时候，ADC的时序会产生影响，再靠近的时候adc损坏。 后来重新更换ADC，放到1万高斯的磁场下ADC冒烟，但其他的元器件都没有影响。不知道这是什么情况？
我们用 ADS127L11这个adc芯片连接霍尔磁场传感器的模拟输出。以前传感器和ADC分开有1.5米距离，没有出现问题。这次设计的时候让ADC和磁场传感器靠在一起。但是发现当磁场升高的时候ADC损坏。磁铁靠近ADC的时候，ADC的时序会产生影响，再靠近的时候adc损坏。 后来重新更换ADC，放到1万高斯的磁场下ADC冒烟，但其他的元器件都没有影响。不知道这是什么情况？
Hi,
工程师在 ADS127L11EVM 电路板上进行了一些测试。 对于静态磁场不敏感。 但是如果在 ADC +放大器上快速地上下移动磁体，可能会产生很小的电压，这是预期的结果。 因为这是由于输入放大器周围的电阻反馈网络布局而导致电路板上存在小环路。 下图显示了约1.2mV 的peak to peak值电压。
如果磁场以高得多的频率进行变化，那么电压会升高。 根据磁场耦合到的任何意外环路和磁场频率，该电压可能会变得高得，而从理论上来说，可能会变得足够高从而损坏器件。
但是，工程师认为开关电源更有可能因为磁场大而变得不稳定，从而导致电感器/变压器磁芯饱和，前提是假设 ADC 板上有一个开关电源暴露在了磁场中。