LVDS热备

1. 单A/单B/A+B这三种测试条件下功能是否正常？Y设备是否都能够正确接收来自X设备的数据？

2. X设备的手册上是否有LVDS输出口的用法？是否能直接直流耦合到一个100 Ohm的负载上？会不会是两个接口之间存在着不匹配的问题？

谢谢回复，

1.三种测试条件下，功能均正常，即LVDS32都能正确接收X设备的数据；

2.X设备为TI公司LVDS31发送数据，Y设备为TI公司LVDS32，配对使用。不存在不匹配的情况。

补充，X设备使用SN55LVDS31W，Y设备使用SN55LVDS32W，都是TI公司匹配产品

手册上有写这两颗芯片的工作电流在几十个mA，按说在功能正确的情况下不太可能跑到几百mA的量级。可否把你的电路图发上来？最好能把测试用的框图也发上来，以便评估

这项目是公司的，不让带到网络上。有FPGA，SRAM，FLASH等，8颗LVDS32，4颗LVDS31.测试用部分接上是验证功能是否正常，下面的测试是基于没有测试部分的数据。

A机、B机在原理上完全相同。在排除问题时，保留A机所有LVDS32，然后：（1）我将B机的所有LVDS32、LVDS31拆除，（2）在B机焊接一颗LVDS32.（3）在B机焊接两颗LVDS32.

在（1）中，A机单独开，或者B机单独开，与A机B 机同时开，电流一致（数据在公司，没带回来）。

在（2）中，就出现了最开始描述的电流变化，只开A机，A机电流0.556A（举例）；只开B机0.33A（举例）。

将A机、B机都上电，发现A机电流为0.495A，B机0.21A。

在（3）中，只开A机，A机电流0。556；只开B机0.413；同时开A、B机，A机电流0.445，B机

根据调试发现的现象，大概是在B机增加一个LVDS32，同时开机时，A机电流就会下落0.05A左右.

要是方便的话，可以Call我，叶  tel:18221864768，非常感谢

单位不能上网，痛苦。。。。

今天回来的匆忙，没将测试数据带回来。目前想确认以下问题:

1）我这种应用是否可行可靠；

2）有否存在潜通路问题。

补充：当A机、B机所有电路都完整时，即（B机8颗LVDS32，4颗LVDS31都工作）。

A机单独开，电流0.5A左右，

B机单独开，电流0.6左右。

A机、B机一起开，A、B机电流各为0.13A左右

1. 对照SN32手册上图5，图8，图9再查一下，看看是不是有电流在B机Power down的时候从SN32漏过去了。

2. 如果怀疑单开一个时有电流泄露的通路，可以在测试的时候看一下X机的电流。看看单开时X机电流多大，两个都开时X机电流又是多大。

经过测试：

1.在B关机的时候，B机的VCC和GND电压仅有0.1V以下，

但经测量，发现存在如下现象：

A机关，B开时，B机单片LVDS32的电流为78mA（LVDS32无输入）；

A机关，B开时，B机单片LVDS32的电流为13.5mA（LVDS32有输入，且输出正确）；

A机开，B开时，B机单片LVDS32的电流为60mA（LVDS32无输入）；

也就是说，这种连接方式与我的输入状态有很大关系。请问这是什么情况？

考虑手册第四页等效输入输出的图，如果B机无输入，那么B机的输入端应该是维持在高电平，或者说，约等于VCC，只有小部分电流通过高阻通路泄放掉。此时等效输入电路X点的电平约等于GND，少量电流从VCC通过几乎被关断的电流源流过两个电阻。再看输出端，输出端的PMOS和NMOS此时看到的是两个低电平，所以上管PMOS会打开，造成的结果是一路直流电流从上管向负载泄放。

当A,B都开但是没有输入时，A，B的等效输入端看到的电阻是两个300K的并联，就是150K，等于说电阻减小了，泄露会增大一些，这样X点的电平会上移一些，造成的结果是输出端上管PMOS的电流比之前减小一些。

当有输入时，不管哪个机器打开，其等效输入端看到的是动态变化的输入，从而等效输出端会动态的向负载抽/灌电流，此时平均电流会很小。

以上分析皆假设等效输出Y output后面都有一个并不是很大的阻性负载。