LVDS传输线的抗静电干扰

ESD说到底包括两部分，对地电容和系统本身的吸收。

所以，加铜薄后，对地电容加大，影响会小很多。

建议理一下地线，增加吸收。

双绞线的屏蔽层接地了 是吗？是在何处接地的呢？

屏蔽层接地的，就在接口附件PCB地相连

屏蔽线本身就一条地线，外加屏蔽层，整理一下地线?请教下有什么好方法

增加地线吗？

前后级之间 是交流耦合 还是直流耦合呢？

静电的注入点在哪个位置？

LZ 若是 能画个 示意图 就更好了。

交流

贴附件了

屏蔽，可以全密闭，也可以用蜂网状屏蔽，可以在出线口做固胶封闭，也可以在输入级加抗静电的元件。

机子钣金上的随意位置

你说你铜箔都包裹效果就好，说明你有地方漏磁场，那你的接线端子那边没有做好，可以在口那里加绝缘胶堵住

看起来 似乎是 静电峰值 超过了 LVDS信号 的直流门限。

差分信号对于共模干扰不敏感的前提就是：共模干扰不能超越 差分信号的直流门限。

例如：3.3V供电的差分信号，无论是D+还是D-，其直流电平都不会超越3.3V，共模干扰若是超越了3.3V，则差分信号链路就崩溃了。

应该在负载的输入端 采取抗静电措施，将静电干扰 在负载的输入端 引入到非信号参考地线（若是引入到 信号参考地线，则照样起不到消除干扰的作用）。

若是将液晶屏视为负载，则应该在液晶屏的串行LVDS输入处 采取屏蔽接地措施；若是将20PIN的并行LVDS视为负载，则应该在20PIN处 采取屏蔽接地措施。

屏蔽接地点 应该被视为“干扰地”，这个“干扰地”应该与“信号参考地”分开布设。

我的理解和你是一致的

问题在于，静电干扰经过一定的措施处理后，应该仍然在直流门限之上吧。。。

问题在于，静电干扰经“一定的措施”处理后，应该仍然在直流门限之上吧。。。 ---------- 这个“一定的措施”都是一些 啥措施呢？