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您好，请问LSF0204芯片中间的FET是否和TXS芯片中间Npass一样，是在工艺上将S和D做成对称的么？当有任一端是低电平，VGS或VGD>Vth，就会导通FET？若LSF中间的MOS是NMOS，则A作为S，B作为D极，MOS中间没有体二极管，那当B输出低电平MOS不会导通才对。这块是如何实现的？
您好，稍后我会看下您的问题。
这个问题麻烦帮吗确认下，谢谢
抱歉回复晚了，内部是NMOS。
当B端是低电平时，Vgs=Vbias>Vth, NMOS 导通，所以A端也输出低电平。
当B端是高电平时，输出端A端先是跟随输入B的电平，随着B端的电平升高，Vgs<Vth,NMOS关闭，处于高阻抗状态，由于寄生电容 CA1、A1处的电压将保持在大约 VA。电容器的电压不能瞬时变化。既然 A1电压节点基本上已断开连接、无源 RC 电路将驱动接收器的输入达到 VA 并保持在该值。
感谢您的回复，根据您所述当B端是低电平时，Vgs=Vbias>Vth, NMOS 导通，所以A端也输出低电平。是不是可以理解为此时B端是MOS的S级，A端是MOS的D级。如果是这样，那此处逻辑是没问题的。
同理，根据上述逻辑，由于LSF是双向的，因为A端是NMOS的D级，那么如果A端主动输出低电平，是如何把B端拉低的呢。
LSF的NMOS工作原理和TXSxx系列是一样的，只是TXSxx在LSF的基础上又加了一些比如one shot 边沿加速电路，内部上拉以及有源控制逻辑模块。
而LSFxx的原理就是开关。或者说LSFxx和TXSxx的设计理念基础是相同的。
好的，感谢您的回复。
