SN74AXC4T774: SN74AXC4T774

您好，平时在使用芯片时，直接实际测量管脚特性的话，得到的数据中不包含封装RLC？

抱歉，您指的是芯片本身的封装。我第一印象是焊接在板子上，pcb layout带来的寄生电容或寄生电阻电感的影响。 这个应该是没有考虑的。

芯片引特性的话，是考虑到封装信息了，比如耐压，以及热阻等这些都是考虑在内的。

ibis model中的封装参数RLC值应该指的就是芯片本身的管脚特性吧？所以通过仿真获取ibis model数据的时候也应该加上这些封装寄生参数（RLC）进行仿真吧？

非常感谢您的回复！但是可能您没有完全理解我的意思，如下图，我的意思是ibis model中的V-I曲线和V-T曲线这些数据是在考虑封装寄生参数的情况下得到的吗？如果是通过实际测试得到的那应该无法避免会有封装参数的影响，那如果是仿真得到的，需要在测试电路上加上封装参数（RLC）吗？

?? ? 说：

需要在测试电路上加上封装参数（RLC）吗？

不需要。

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ibis model中的V-I曲线和V-T曲线这些数据是在考虑封装寄生参数的情况下得到的吗

是的。我理解的是已经考虑封装寄生参数带来的影响了。

您说的意思是使用ADS去仿真ibis model，然后这个ibis model的数据是已经包含封装寄生参数了吧？我的意思是如果想要自己去设计ibis model，然后获取产品ibis model中的数据时，是否应该加上封装参数去获得数据。还是就把封装参数填写到R_pkg、L_pkg、C_pkg关键字下就行，V-I曲线和V-T曲线中的数据不包括封装参数影响，在使用ADS仿真时，软件会调用封装参数，再将其考虑进去？如果是这种情况的话，那采用实际测试获取数据的方式岂不是在使用ADS仿真时，封装参数会被考虑两次？因为实际测试的数据已经考虑到封装寄生参数了，然后ADS软件又会调用一次？

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　－－非常感谢您的回复，不胜感激

好的，非常谢谢您细心的解答！！

ibis model中给出V-I数据，比如GND_Clamp的数据，和实测芯片时要差出一个量级，请问这是什么原因呢？比如输入电压给-2v时，ibis model中的电流值为2.2mA，可是我实测得到的为454mA，怎么会差距这么大呢？

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比如输入电压给-2v时，ibis model中的电流值为2.2mA，可是我实测得到的为454mA，怎么会差距这么大呢？

不允许输入电压给-2V吧，我看model中的GND_clamp的数据都是在0V附近。

您好，您看的这个是在VCC=0.7v时的数据，不同VCC所对应的电压扫描范围也不相同，下图是VCC=3.3v时的Gnd Clamp数据，是从-1.8v扫到了5.1v。能麻烦您帮忙问一下这些数据是限制电流了吗？

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能麻烦您帮忙问一下这些数据是限制电流了吗？

您有这个疑问是因为您实测电流数据和这个model中的电流数据相差很大，所以怀疑是限流了是吗？

实际上这些model的数据我没有仔细去看过，目前您实际测试这款器件的电气性能都正常吗？

您好，我测试的是SN74AHC244这款产品。是的，我的疑问是实测电流数据和其model中的电流数据相差很大，不知是否是因为限流导致。该芯片电气性能正常。