Hi,E2E
请教个问题,看了TI关于LSF系列芯片介绍的视频,网址如下,Understanding the LSF family of bidirectional, multi-voltage level translators | TI.com
视频中有个问题不太理解,如下截图,200K电阻会形成一个限流,然后强制形成一个FET的阈值电压,想问一下,这个是怎么形成的呀
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Hi,E2E
请教个问题,看了TI关于LSF系列芯片介绍的视频,网址如下,Understanding the LSF family of bidirectional, multi-voltage level translators | TI.com
视频中有个问题不太理解,如下截图,200K电阻会形成一个限流,然后强制形成一个FET的阈值电压,想问一下,这个是怎么形成的呀
芯片内部的MOS都是一样的,对吧,还有就是这个阈值电压会随着外部200K电阻的变化而变化么
我理解应该是会的,外接电阻值不同,流过FET的电流就不同,那么产生的压降就不同。建议搭建电路时使用datasheet 推荐的200kΩ电阻。
首先芯片内部应该可以等效成一个NMOS,FET的阈值电压应该就是MOS的导通电压吧,应该是Vgs,但是按照您说的,导通电压不应该这么小的,uA级别的电流乘以毫欧级别的电阻,太小了
这里是VSD或VDS电压,请细看图中标识Vth的位置。