Thread 中讨论的其他器件： INA226
工具与软件：
您好！
根据数据表第7.3.1段、我们得到："由于共模输入范围和 电源电压互相独立、因此无需特别考虑电源时序；因此、总线 电压与电源电压可在对方关闭时存在。"
从这一点可以推断、在不长时间添加 VS (3V3)电源的情况下、将 VBUS 施加到 INA226-Q1 (最大16V)器件是没有问题的(在系统的低功耗模式下、静态电流应该非常低、从而不会在停车位置使汽车电池在不充电电网的情况下放电)。
这意味着、在系统睡眠模式期间、数字输入(A0/A1、SCL/SDA/Alert)上不会出现任何泄漏。
VBUS 的典型值为 使用830k Ω 时、这会在最大输出电压范围内产生典型值。 12V/830k Ω=14.5uA 的泄漏电流。
但在 https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/516256/ina226-q1-question-about-vbus-pin?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=INA226-Q1#中、 内部阻抗的容差为+/-30%。
如果是这样、VBUS 泄漏电流可高达16V/581k Ω=27.5uA。
因此、我想使用一个将 VBUS 与电池电压断开的 SW (下图显示 IN 连接到电池、OUT 连接到 VBUS)。
问题：
Q1：在 VIN+/VIN-仍连接到电池时 VBUS 是否存在悬空问题？ (由于这是一个模拟输入、因此我假设应该没有问题；当然、在系统的睡眠模式下无法进行电流测量)
Q2：我是否应该假设一个 P-MOSFET 具有最大值 13 Ω RDS (on)不会影响 VBUS 测量？ (我假设不是、因为内部阻抗是典型值。 830k Ω)
Q3：我可以假设 IN+/IN-具有典型值。 即使未应用 VS 和 VBUS、泄漏电流也是0.1uA、最大泄漏电流是0.5uA？ (在数据表中、泄漏电流是针对 VVS = 3.3V、VIN+= 12V、VSENSE =(VIN+–VIN–)= 0mV 和 VVBUS = 12V 的条件提供的)
此致、
Ferenc
