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器件型号：TLV9154-Q1 工具/软件：
您好专家、
EMIRR 性能测量条件是双电源。
那么、当它们在单电源(+=8V、-=0V)下使用该器件时、对 EMIRR 性能是否有任何影响？
此致、
Kazuki Kuramochi
工具/软件：
您好专家、
EMIRR 性能测量条件是双电源。
那么、当它们在单电源(+=8V、-=0V)下使用该器件时、对 EMIRR 性能是否有任何影响？
此致、
Kazuki Kuramochi
尊敬的 Kazuki-san：
然后、当它们在单电源(+=8V、-=0V)下使用该器件时、EMIRR 性能是否会受到任何影响？
TLV9154-Q1中的 EMIRR IN+数据是指运算放大器输入端的 EMIRR IN+。 这并未考虑其他输入引脚如何将高频 EMI 信号耦合到运算放大器中。
通过更改特性条件、EMIRR IN+信号会受到影响。 在单电源电压中、必须将输入共模电压偏置到 GND 以上、这将改变设置中的 EMI 路径。 此外、输入 EMI 信号在偏置的 DC+ AC (EMI)上传播到运算放大器的内部节点、这不同于双电源轨。 由于存在非对称电源轨、CMRR 行为与双电源轨不同。 换句话说、上述 EMIRR IN+响应可能与双电源轨不同。
https://www.ti.com/lit/an/sboa128a/sboa128a.pdf?ts = 1744604873924
我想指出的另一点是、EMIRR IN+不一定与在传导和辐射抗扰度测试环境中响应如何耦合到运算放大器中有关。 在实际传导(CS)和/或辐射(RS)敏感性或抗扰度环境中、有多条路径会影响运算放大器的运行。 CS 通常用于解决输入引脚在运算放大器或 DUT 中的灵敏度或耦合效应、而 RS 用于解决耦合到运算放大器或 DUT (在运算放大器、布局、布线、电源轨、接地环路等中)的环境灵敏度和影响(通过辐射能量)。
如果您有其他问题、请告诉我。
此致、
Raymond
尊敬的 Kazuki-san：
我们在单电源条件下使用该器件时是否有 EMIRR 性能趋势？
数据表中的大多数运算放大器都具有双电源轨(包括 EMIRR)特性。 这反映了"理想"设计意图、适当晶体管的偏置电路和线性工作条件下的最佳性能。
我认为单电源条件的 EMIRR 性能应该比双电源条件更差。
我同意、由于采用单轨电源配置、这项陈述有其优点。
此致、
Raymond
