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https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1502324/lm393-lm393-design-issue
工具/软件：
我想了解您的想法。 我使用了比较器 LM393来驱动 MOSFET。 当 LM393输出低电势时、Q42将产生较大的浪涌电流、从而导致 Q42立即损坏、但负载仅为100uF。 我不明白为什么会立即产生如此大的浪涌电流？ LM393是否应该用于直接驱动 MOSFET？ 感谢您的答复！
您好 YH、欢迎来到 TI e2e 论坛。
将 C219移至 FET 引脚1、4之间。 这种新布局有助于降低输出斜升速率、从而降低浪涌电流。
您好、Michallick： 非常感谢您的答复。 根据您的建议、浪涌电流已从80A 降至2.8A。 但我不明白为什么仅仅改变 C219的地位会带来如此大的区别呢？ 您能分享您的想法、以便我能够学习吗？
是的
感谢您的跟进。 我们将在假期休息至周一、并在我们返回时做出回应。
很抱歉我们的延迟回复、Chuck
YH、
源极节点是 VGS 电压的"基准"、因此此处的电容器没有增益。
漏极节点的极性与 VGS 相反。 因此、根据漏极电压的变化速度、此处的电容器的作用类似于更大的电容。
在此处了解详情(外部链接)： https://www.google.com/search?q=what+is+miller+capacitance
您好、Michallick： 非常感谢您的分享。 但我仍然想问您、关于降低 MOSFET 的米勒效应、在 FET 引脚1和4之间移动 C219的常用方法是吗？ 或者是否有任何其他方法可以减小米勒电容？ 或者、可以通过增加驱动电流或优化驱动电路来解决该问题吗？ 因为我怀疑 LM393的驱动能力是否不足？ 我是否应该使用 LM393来驱动小信号 MOSFET BSS138、进而驱动 FDD4685？ 感谢您发送编修。
Unknown 说：关于降低 Mosfet 的米勒效应
米勒效应是动态的。 这样、它就能够对漏极电压执行压摆率控制。 这可能是一件好事。
Unknown 说：我怀疑 LM393的驾驶能力是否不足？
现在的串联电流为100k (R45)、因此可能的最大电流为28V/100k = 28uA。 这对于 LM393来说非常简单
