[参考译文] TLV27L1：在 Vdd 较低时的励磁电流消耗分布

尊敬的 Raymand：

感谢您的答复。

请允许我更清楚地解释一下、电路接收4 -20mA 电流、输出电压由下游电路(R30、R31分压器和 U4 Vref)固定、下游电路也将使用所有未使用的电流并将其灌入 M2、R29。 由于电路和下游电路之间的串联电阻 R33、运算放大器 V_U1将为7.4~8.0V、具体取决于提供的电流 Isrc、其中 Iout = Isrc - Icircuit、并且 V_U1 = 7.41V + Iout * 33

它已经在以下情况下进行了测试：绕过 R3、由精密台式电源提供的 Vin+基准(意味着可以忽略 REF3012电路)、4mA 与20mA 相比、电路在低输入 Isrc=Isrc 时消耗的电流要高10uA。 请参阅下表中的数据。 这是我们试图理解的奥秘的第1部分(如果降低是由运算放大器设计引起)、因为 Iq /消耗通常随着 电源电压的升高而增加。

为完整性起见、除了这些 Vout 始终摆动至最大值的工作条件(比较器运行)外、还有另一个工作点、V_U1足够高、使得 Vin-接近1.25V、并且运算放大器开始调节 Vout。

您是否认为比较器运行会导致本页中所述的不必要/未定义的行为？  - https://www.analogue.com/en/resources/technical-articles/maximum-supply-current-that-wasnt.html。

问题的第2部分是、4mA 输入 Isrc 处的较高消耗因器件而异  4mA、在 Isrc=Isrc 处进行测试时记录的电流为35~80uA、在 Isrc=Isrc 时记录20mA 的电流范围越来越小(10~40uA)。 我们通过在两块板之间交换运算放大器确认了电流消耗跟随运算放大器。现在不同器件的不同消耗是器件差异、但与数据表的最大11uA IQ 值相差太大。

遗憾的是、  由于功耗要求较低、我们无法使用 TLV07、感谢您提供的建议。

此致、

SoonYet

尊敬的 SoonYet：  

Unknown 说：

如果衰减是由运算放大器设计引起的、这是我们试图理解的奥秘的第一部分、因为 Iq /消耗通常随着 电源电压的升高而增加。[/报价]

我想您可能需要以不同的方式看待。 两个电流源的输入功率不同。 我将看一下 Isrc 电流源、其中生成4mA 与20mA 的 V-I 效率不同。 您可能必须从电源效率的角度来看这个问题、其中 Isrc 可能在不同的工作点运行、在这种工作点生成20mA 比在当前源中生成4mA 更高效。  

您必须比较具有相同负载的两个电流源、否则很难找出问题。  

Unknown 说：

问题的第2部分是、4mA 输入 Isrc 处的较高消耗因器件而异  、在 Isrc=Isrc= 4mA 处测试时寄存的20mA 电流为35~80uA、在 Isrc=Isrc 处的较低范围(10~40uA)则为35 μ A。 [/报价]

电路基本上由 Isrc 之后的电流源4mA 和20mA 驱动。 这是 I 到 V 转换器、驱动10 Ω 负载。 根据原理图、所有负载功率均来自电流源的 Isrc。  

以下电路中的 PMOS 如果接近关断、并且大部分压降将跨接在 M2的源极和漏极。 您知道在4mA 与20mA 条件之间、10 Ω 的负载功率是多少吗？  POWER_IN = Power_OUT、因此右侧的所有功率耗散必须等于 power_IN (在第一个图中计算)。  

如果您有其他问题、请告诉我。  

此致、

Raymond

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