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主题:设计申请审查:具有容性负载的单位增益缓冲器 — 反馈与 Riso 隔离
尊敬的 Texas Instruments 支持团队:
我目前正在使用评估两种运算放大器缓冲器配置 LMP7701 在单位增益应用中(单电源, 5V ) 并感谢您的专家意见。
目标是 A 在整个温度范围内稳定运行(−25°C 至<xmt-block1>+125°C</xmt-block>)</s>+125°C 高达 600 伏的电压 10 µF 。
两种配置的说明:
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配置 1–反馈路径中的电容器
输出电容器 (10 µF ) 直接放置在反馈路径中(从输出端到反相输入端)。 -
配置 2–串联电阻器后面的电容器 (Riso)
在运算放大器输出和容性负载之间插入一个 100Ω 电阻器、从而将反馈与电容器隔离。
请查看随附的两个原理图。
我的问题:
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基于稳定性和相位裕度、 您建议采用哪种配置 在整个温度和电源电压范围内实现可靠行为?
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在使用时、您是否对这两种拓扑提出了特定注意事项或建议进行修改 MLCC 电容器(具有极低的 ESR) ?
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配置 1 是否可以接受 钽电容器 (ESR 越高)、或者配置 2 通常更稳健吗?
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在配置 2 中是否充分使用 RISO、或者是否应考虑使用其他元件(例如缓冲器或铁氧体)?
提前感谢您的帮助。 我期待您的建议、然后再继续进行下一个 PCB 布局修订。
Conf01
第 02 部分
或两者?