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[参考译文] INA823:增益误差与温度间的关系

Guru**** 2381290 points
Other Parts Discussed in Thread: INA823
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1535350/ina823-gain-error-vs-temperature

部件号:INA823

工具/软件:

您好团队:  

  • 在表 7.5 中、指定的增益漂移值不包括外部增益设置电阻器 Rg 的影响。 图 7-18 也是如此吗?
  • 为了更大限度地减少由温度引起的增益漂移、我们是否同意 Rg 漂移应与内部 50kΩ 电阻的漂移相匹配?  因此、Rg 应尽可能接近 5ppm/°C(根据第 8.3.1.1 段)

此致、  

Adriana Terman

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    您好 Adriana、

    由于 Rg 可由用户选择并且会直接影响器件的 GE 漂移、因此数据表仅对受器件影响的误差项进行基准测试。 然而、GE 漂移的方向是不确定的、并且通常 RG 不会有确定的漂移方向。 由于这些是随机不相关的误差、典型的组合误差将是两个漂移的和方根。 因此、25ppm/°C 的电阻器温漂将与 5ppm/°C 的 INA823 温漂相结合、从而产生 25.49ppm/°C 的温漂。 而 5ppm/°C 的 Rg 则会产生~7.07ppm/°C 的综合典型漂移。

    为获得出色性能、电阻器的漂移应小于漂移/3、这意味着 RSS 将引入小于 10%的误差。 但是、观察 DigiKey 上的典型电阻器漂移、可以选择 2ppm/°C 或箔电阻器、这些电阻器比 INA823 更昂贵、但这种做法可能不切实际。

    此致、
    Gerasimos

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    您好 Gerasimos、  

    感谢您的澄清。 由于我是问 Adriana 这些问题的人,我想详细说明你的答复。

    我们打算集成 INA823 来放大惠斯通电桥信号。 它将设置为 G=318、因此 RG=316 Ω。 根据数据表、对于 G>1、最大 GE 漂移为 35ppm/°C 通过使用 10ppm/°C 的 RG、配置将达到最佳状态。 这是正确的吗?

    您写道、“ GE 漂移的方向不确定“、但如图 7-18 所示、GE 漂移有增加的趋势、而温度升高(我知道这是 120 个单元以上的平均值)。  
    您知道、每个元件是否往往具有非常不同的 GE 漂移、或者它们是否往往遵循大致相同的曲线?  
    如果这是第二个选项、我们可以进行温度补偿。  

    此致、  
    Maximilien L  

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    您好、Maximilien:  

    如 Gerasimos 之前所述、总漂移补偿将是器件的 GE 漂移和电阻漂移的平方和根。 因此、由于 INA 和 RG 的最大漂移为 10ppm/C、总贡献为 36.4ppm/C  

    请注意、虽然典型图显示样本量较大、但不同批次之间存在预期的行为差异、因此不能暗示每个器件的方向始终增大。 图 7-18 旨在说明经过测试以更可靠地了解增益误差漂移分布的器件+/–3 σ(99.7%) 分布。

    客户是否担心增益误差漂移的影响? 它们的系统需要满足什么容错能力?  

    此致、
    Ashley

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    您好、Ashley、

    感谢您确认总漂移贡献的计算。

    根据图 7-18 的理解、您不能保证所有批次的方向都是相同的。

    我尚未完成计算、但我们担心过多的误差传播可能会导致某些器件中的 ADC 输入饱和。 根据我的理解、使用 RSS 误差是可取的、因为它代表了比最坏情况误差更现实的场景、后者过于保守。  

    此致、

    Maximilien

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    嗨、Maximilien、

    RSS 误差确实可以提供更真实的误差估算。 最大值通常表示统计上罕见的情况、最坏情况估算取多个 5-6 σ 发生的总和。

    虽然假设在最坏的情况下 6 个不同的 6 个西格玛事件是可能的、但从统计学上看、这种情况很不可能发生。

    此致、
    Gerasimos