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[参考译文] TAS6584-Q1:驱动高占空比时出现的问题:自举大小调整

Guru**** 2478765 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1543163/tas6584-q1-problems-driving-high-duty-cycle-bootstrap-sizing

器件型号:TAS6584-Q1


工具/软件:

您好:

我一直使用 TAS6584。 我注意到、在高占空比条件下、似乎根本无法切换输出。 波形看起来可能会连续错过几个周期。 因此、我一直想增加自举电容器的大小、但我不想以某种方式使器件过载。

在图中:

1.红色=扬声器输出。

2.绿色=自举电容器电压(忽略高频电压尖峰)

3.蓝色=前置电感器开关波形。

有没有办法防止这种情况发生? 脉冲注入没有任何区别。 1SPW 与 BD 没有区别。 另外、1uF 自举也不能解决我的问题、是否已经过大? 如果不是、建议的最大自举大小是多少? 在芯片进入保护状态之前、开关波形似乎总是开始看起来像这样。

再次感谢您、

Levi

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    你好 Levi

    波形看起来可能会连续错过几个周期。 [/报价]

    恐怕这种现象无法完全避免、因为内部并非专门设计用于限制最大占空比。  

    也许可以尝试根据 PVDD 电压设置较低的模拟增益、以限制输出电平、而不是让器件在接近削波情况下工作。

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    是否有一个最大尺寸的自举电容器?

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    你好 Levi

    没有真正设计出这样的价值。 较大的值通常不会导致任何问题。

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    谢谢你。

    我想搬到 10 μ F 的大电容。 在您的估计中、这是否会对 TAS 造成不必要的压力?

    这是否更是一个开放的问题,还是在达到满量程时发生这种情况?

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    你好 Levi

    我想迁移到 10 μ F。 在您的估计中、这是否会对 TAS 造成不必要的压力?

    应该没问题。

    这更像是一个开放游戏的问题、还是在达到满量程时会发生这种情况?

    仅在开路负载时发生。 开路负载时、没有电流。 因此、BST 电容器只能在低侧 FET 完全导通的情况下充电。

    在正常负载下、存在大电流、电流将在死区时间内流经低侧 FET 并联二极管、使得死区时间也可用于为 BST 电容器充电。