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我正在调查两块通过了电路板测试但后来在应用中出现故障的电路板。
两个电路板上的 TLV9062 均损坏。 它会使电路板的正电源轨短路。 此外、在移除后、连接至 GND 的运算放大器之一的所有引脚之间只有几欧姆的电阻。
该芯片用于光电二极管的 TIA 配置。
在电路板测试期间、通过串联电阻向负输入端施加负电压、以模拟光电二极管。 使用的最大电流为 2.2mA。 根据数据表的解释、只要电压限制为低于 10mA、就允许电压超出电源轨。 我理解正确吗？ 当电路未通电时（两个电源轨都为 0V）、情况也是如此吗？
在两个电路板以相同方式发生故障的应用中、输入连接到光电二极管 VTP4085H、短路电流低于 1mA。
您能看到解释这些故障的设计缺陷吗？ 光电二极管/测试设备可能在电路板未通电时处于活动状态。 另外、连接光电二极管的电缆在二极管本身未连接时也存在。
我附上了应用和电路板测试的原理图。
感谢您的意见 Paul、
是、两个故障芯片都显示类似的电阻、如下所示。 我还添加了一个全新器件以供参考。 如果可以总结一下、我们很感兴趣。
负输入的输入保护是适用于 3.3V 电路的 TVS、因此它也应该对正电压提供一定的保护。 但芯片的 ESD 二极管可能会做太多的工作？ 我可以看到、连接到 GND 的双二极管将提供更高程度的保护。
那么正输入呢？ 一个连接到 GND 的电阻器为 0 Ω、但另一个则为 150k、该电阻器可能过高、无法提供保护。
我们使用的 TRS 电缆在规格和实际中都是屏蔽的。
您好 Torbjörn
确认您使用的是在 Semi UESD3.3DT5G TVS 器件上？
根据 ON Semi 数据表、Vf 为 1.1V @10mA、这意味着在 TVS 启动之前、输入可上拉至–1.1V 或更高电压低于 GND。 这意味着 TLV 的 ESD 二极管直接承受任何负电流的冲击（（10mA 处的内部 ESD 二极管应在–800mV 范围内）。
通道 A 上的“闪存“通道有什么特别之处吗？ 它始终是第一次测试或校准？ 反馈电阻几乎没有作用、因为电缆输入直接连接到输入引脚（n 个串联电阻以吸收电流）。 我仍然会在插孔和输入端之间插入一个小串联电阻。 可能是 200 欧姆左右...
我想、在连接到传感器/测试装置时、电缆的外露尖端暴露在 ESD 下。 尝试最后将电缆插入“应用程序“、以便尖端是最后进行接触的位置。
TLV9062 在每个电源上都具有传统的 ESD 二极管、以及电源上的边沿触发钳位。
对电源短路通常会使 ESD 二极管熔化。 由于两个 CHA 输入和电源都短接在一起、这闻起来像一个熔断的 ESD 输入二极管。 请记住、这些二极管不是分立式二极管、而是全部位于一个共同的基板上、因此当一次熔断时、它会引出相邻的电源环布线或使相邻的电源环布线短路。 因此、很难确定哪一个输入是罪魁祸首的事后分析。
这可能是布局问题。 尽管 ESD 布局技术不在本论坛的讨论范围内、但仍有一些基础知识。 所有 ESD 保护都应*在*连接器处*、并且绝不能共享任何信号或电源接地布线。 这样可以防止在 ESD 瞬态电流（安培！）时接地“反弹“ 沿布线流动。 “保护“ESD 接地应是星形接地、连接到与机箱相连的主电源接地点。
IOW、TVS 应为*接地*连接器、其中接地引脚直接连接到外壳接地、接地点和阴极直接连接到中心尖端的单独 GND 布线。 这样、ESD 能量就不会与电路共享接地布线。 如果可以、请尝试直接在插孔的焊接连接上安装另一个 TVS 并单独接地（将外壳接地与信号 GND 分开）。
