[参考译文] LMP7704-SP：请参阅报告并减少 SEL 漏洞

尊敬的 Raymond：

感谢您的回答、我认为该解决了第一个问题：在第 7 节的更多内容中、从冗余保护的角度来看、对于小于或等于 5.2V 的电源电压、没有通过所有不同的电容器配置观察到 SEL、尽管通过串联电阻将 10nF 或 100nF 去耦电容器与总线电容的其余部分隔离很有帮助。

对于高于 5.2V 的电源电压、尽管串联隔离电阻受到保护、但当大容量电容足够大且靠近器件时、仍然存在一些导致 EIPD 导致闩锁的潜在可能性？ 在这种情况下、需要确定串联电阻的大小以更大限度地提高保护和器件功能、同时采取措施来更大限度地减小电源电压上的大容量电容？

此致、

Frank

您好 Frank、  

在这种情况下、要确定串联电阻的大小、从而更大限度地提高保护和器件功能、同时采取步骤来更大限度地减小电源电压上的大容量电容？

是的。 即使使用串联隔离、大于 5.2VDC 的电源轨仍会存在一些 SEL/EIPD 风险、尤其是在大容量电容很大并放置在 Vcc 引脚旁边的情况下。  

根据 SEE 报告发现、我们可以在以下两个限制条件下对电源引脚处的局部电容大小进行保守的调节。

1、串联电阻后,可以计算出局部电容的能量——>根据 0.5*C*V*V,储存在电容中的能量,其中能量应<=0.5*1uF*5.2^2,约为 13.5uJ。   

2.我们可以通过电源路径/钳位估算峰值电流限制、其中 IPK_LIMIT < Vsupply/(Risolation + R_path_of_Vcc) 或≈ 5.2/Apk < 5Ω 1.04Apk。 为了提高设计裕度、假设 IPK_LIMIT 占直流系数的 60-80%(1.04Apk)。

Vcc 旁边的电容器还有另一个关键 Ipk 数字、其中 Ipk = C*(dV/dt) 是瞬态电流事件期间的关键决定因素。 因此、理想情况下、如果 Vcc > 5.2VDC、Vcc 旁边的旁路电容器应保持低于 100nF 范围（NP0/C0G 类型）。  

如果在 LMP7704-SP 应用中电源轨必须大于 5.2Vdc、我建议遵循这些建议。  

如果您有其他问题、请告知我们。  

此致、

Raymond