[参考译文] INA129：INA129：INA129U 中的电源电流异常 — 第 2 部分

嗨、Roman、

您是否能够执行我在上一个主题中询问的测试？ 我在下面再次复制了它以供参考、它参考了您关于在新批次的持续过压情况下看到持续电流增加的观点。

您是否能够在相同的持续过压条件下以预期的性能测试器件？ 如果是 OVP 电路的速度或有不同的实现方式、这将有助于缩小范围。

此致、
Gerasimos

我们已经在相同持续过压条件下测试了具有预期性能的器件。 这些单元的行为与我们习惯的行为相同、但不表明电流持续增加。

此外、这种设计已经使用了很多年、我们以前从未遇到过这种电流行为。

根据先前订单确定的 INA129U 元件、当安装在相同电路和完全相同的 PCB 上时、在相同的工作条件下仅消耗 0.05mA。

嗨、Roman、

此器件有一个 PCN、详细介绍了新的合格设计。 您应该已直接从 TI 获得一份副本、如果您通过分销商购买、他们应该已将 PCN 转发给您。 这是提供给 DigiKey 的 PCN 副本。

https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/docus/5340/PCN20220802000.1.pdf

在新设计与之前的设计相比、在新设计中实现的过压保护似乎有所不同。 前一种设计在过压保护范围内具有高阻抗、而新的设计实现了 JFET 钳位。 INA129 数据表中的图 7-10 对此进行了详细说明。 当输入溢出时、该输入电流将通过电源灌入（高于 V+的电压将灌入 V+、低于 V-的电压将灌入 V-）。

对于新的合格设计、这种流入 V+的电流增加是正常现象、不会损坏 INA129。 这个流入 V+的电流是否会导致系统出现问题、还是仅在测试中产生一个标志？

此致、
Gerasimos

尊敬的 Gerasimos：

感谢您的澄清和分享 PCN。 我们知道、在新的合格设计中、流入 V+的电流增加是预期行为。 遗憾的是、我们的系统不能容忍这种变化、并且由于较高的电流消耗而会出现故障。

此致、

嗨、Roman、

遗憾的是、我不建议使用具有不同输入保护结构的器件。 我们的新器件都倾向于使用 JFET 输入钳位。

您是否愿意探索对测试的潜在修改？ 不幸的是,由于这是一个批准的设计的添加,它仍然可以接受旧的和新的设计。

此致、
Gerasimos

您好 Gerasimos、
您能否确认 INA828ID 是否还具有新的输入保护结构？

嗨、Roman、

INA828ID 使用相同的 JFET 钳位输入保护结构。 数据表典型特性部分的图 16 证实了这一点。

此致、
Gerasimos